[发明专利]磁头、使用磁头的装置以及制造磁头的方法

说明书

本发明涉及一种将信息信号记录到磁记录介质上或对其进行重放的磁头、磁头的生产方法、以及用该磁头进行磁记录/重放的装置。特别是涉及一种在数字式VCR或类似物中使用的适合于高密度磁记录的窄道磁头、这种磁头的生产方法、以及用该磁头进行磁记录/重放的装置。

为了对例如出现在数字式VCR中的大量信息信号进行记录/重放，需要采用高密度磁记录/重放技术，例如窄道技术和短波长技术。通常，公知的是，为了实现高密度磁记录/重放，最好是提高记录介质的矫顽力或增加磁头的饱和磁通密度(以下称之为“Bs”)。

然而，在已有技术中主要作为磁头材料使用的铁氧体材料的“Bs”约为0.5T，这个量级不够大。因此，当在具有80KA/m或更高矫顽力的金属带上使用由铁氧体材料制成的公知磁头时，就会产生磁饱和从而无法准确地传导记录和重放的信息。

为解决上述问题，最近提出一种用新型材料制成的磁头，这种新型材料的Bs大于铁氧体材料的Bs，所述材料是例如铁硅铝磁合金薄膜(Bs：约1.0T)或钴类非晶体薄膜(Bs：约0.8T-约1.1T)，或Bs约为1.3T或更大的其它材料，例如钴类超结构氮合金膜、铁类超结构氮化物膜或铁类氮化物膜。在这些材料中，特别是对复合材料磁头或所谓的MIG进行了极积的研究，其中用铁氧体制作主磁芯并且至少在前缝隙附近将磁薄膜布置于主磁芯的表面上。

图13是表示已有技术中MIG磁头外形结构的透视图。

在图13所示的公知MIG磁头500中，将一对凸形的或对切的磁芯502和503相对设置，它们彼此之间带有磁缝隙501。磁芯502包括一个用铁氧体制成的凸形或对切的芯体504(以下简称为“芯体504”)和在芯体504表面形成的具有高饱和磁通密度的磁性薄膜506。同样，磁芯503包括一个用铁氧体制成的凸形或对切的芯体505(以下简称“芯体505”)和在芯体505表面形成的具有高饱和磁通密度的磁性薄膜507。形成磁性薄膜506和507为得是分别盖住芯体504、505上面对磁缝隙501的突出端面而且还盖住由此开始的两个侧表面。磁缝隙501中设有图13中未示出的非磁性薄膜(称为“磁缝隙件”)。磁芯502和503彼此对接并留有其中插有缝隙件的磁缝隙501。此外，这样对接的磁芯502和503与一对玻璃件508、509彼此相接合，使这对玻璃件位于磁芯对接端两侧。把可供线圈通过的绕线口510设在MIG磁头500侧面的中部。

从窄道技术的观点看，由于制造误差例如两个磁芯502和503的对接精度，或是由于受磁性薄膜506和507磁道边缘处圆度的影响，上述MIG磁头在磁道宽度方面不能达到足够的精度。而且，由于不能唯一地确定磁道宽度，所以在组装过程中进行磁道高度调整步骤时不能获得足够的精度。由此导致了在生产MIG磁头500时产量降低。

为了解决这些问题，本申请的申请人提出了一种MIG磁头，类似的磁头公开在日本公开专利公报NO.7-2202218中，其对应于1994年9月29日申请且目前正在审查中的美国专利申请S.N.08/313,594。在图14中，示意性示出了MIG磁头600的顶面外形，即，相对磁带的滑动表面。

MIG磁头600的基本外形与上述MIG磁头500的外形相似。将一对凸形的或对切的磁芯602和603相对设置，它们彼此之间带有磁缝隙601。磁芯602包括一个用铁氧体制成的凸形或对切的芯体604(以下简称为“芯体604“)和在芯体604表面形成的具有高饱和磁通密度的磁性薄膜606。同样，磁芯603包括一个用铁氧体制成的凸形或对切的芯体605(以下简称为“芯体605”)和在芯体605表面形成的具有高饱和磁通密度的磁性薄膜607。形成磁性薄膜606和607为得是分别盖住芯体604、605上面对磁缝隙601的突出端面而且还盖住由此开始的两个侧表面。磁缝隙601中设有作为缝隙件的非磁性薄膜。磁芯602和603彼此对接并留有其中插有缝隙件的磁缝601。此外，这样对接的磁芯602和603与一对玻璃件608、609彼此相接合，使这对玻璃件位于磁芯对接端的两侧。

在MIG磁头600的磁带滑动表面上设有凹口613a和614a，其跨越除经凸起加工过的部分639之外的整个磁芯602和604，该凹口用于调节磁道宽度。通过设置这些凹口613a和614a，可消除与磁头600内的磁芯602和603对接精度有关的磁道不重合现象，并能有效地减少因磁道边缘或称为边纹的圆度而引起的精度下降。