[发明专利]具有减小电阻的化合物半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一化合物半导体层(14，25)包含第一V族元素；

第二化合物半导体层(16，27)含有第二不同的V族元素，上述第二化合物半导体层设在上述的第一化合物半导体层之上；

异质结界面(15，26)形成在上述的第一和第二化合物半导体层间的界面上；

其特征在于，

所述的异质结界面(15，26)含有掺杂剂，其面密度使得在上述的异质结界面上载流子的损耗被基本补偿。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的掺杂剂包括Si，并且其中所述的第一和第二化合物半导体层(14，16；25，27)二者均被掺杂成n型。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的掺杂剂由C组成，并且其中上述的第一和第二化合物半导体层(14，16；25，27)均被掺杂成P型。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的第一化合物半导体层(14，25)含有P做为所述的第一V族元素而其中所述的化合物半导体层(16，27)含有As做为所述的第二V族元素。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述的第一化合物半导体层(14，25)含有As做为所述的第一V族元素而其中所述的化合物半导体层(16，27)含有Sb做为所述的第二V族元素。

6.如权利要求4中所述的半导体器件，其特征在于所述的第一化合物半导体层(14，25)包括InGaP，Si掺杂成n型，而上述的第二化合物半导体层(16，27)包括GaAs，由Si掺杂成n型。

7.一种高电子迁移率晶体管包括：

衬底(21)；

在上述的衬底上形成的通道层(23)；

在上述的通道层上形成并掺杂成第一导电类型的载流子提供层(25)，上述的载流子提供层由含有第一V族元素的第一化合物半导体材料组成；

在上述的载流子提供层(25)上形成与上述的载流子提供层的上部主表面直接接触的顶层(27)，上述的顶层(27)由被掺杂成上述的第一导电类型的第二化合物半导体材料组成，并含有第二种不同的V族元素；

在上述的载流子提供层(25)和上述的顶层(27)之间形成异质结界面(26)；

在上述的电子提供层(25)上设置栅电极(28)以在其间构成肖特基接触；

在上述的栅电极(28)的第一侧的上述的顶层(27)上设置第一欧姆电极(29₁)以在其间构成欧姆接触；和

在上述的栅电极(28)的相对的第二侧的上述顶层(27)上设置第二欧姆电极(29₂)以在其间构成欧姆接触。

其特征在于

上述的异质结界面(26)含有上述的第一导电类型的掺杂剂，其面密度使得上述的异质结界面上载流子的损耗被基本补偿。

8.如权利要求7中所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于所述的载流子提供层(25)含有P做为所述的第一V族元素，并且其中所述的顶层(27)含有As做为所述的第二V族元素。