[发明专利]垂直腔表面发射激光器件及采用这种器件的光拾取装置

权利要求书

1．一种垂直腔表面发射激光器件，包括：

一个半导体衬底；

一个具有形成在所述半导体衬底上的用于接收入射光的本征缓冲层和形成在所述的本征缓冲层上的第一电极层的光电探测器；和

一个光源，它具有一个形成在所述的第一电极层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分入射光的第一分布布喇格反射(DBR)堆、一个形成在所述的第一布喇格所射堆上用于产生光的激发层、一个形成在所述的激发层上用于反射大部分入射光并且透射其余部分光的第二分布布喇格反射堆，和一个形成在所述的第二布喇格所射堆上带有一个通过它穿过第二布喇格所射堆的光可以被发射出去的腔体的第二电极层，

其特征在于，所述的第一电极层具有一个在其上面没有形成光源的外露表面，并且一个用于把所述的第一电极层和外部电源联接起来的引线被形成在上述外露表面上。

2．权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的一侧。

3．权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的两侧。

4．权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的外露表面是围绕着光源形成的。

5．权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的光电探测器是探测自光源向下发射的光以便控制从所述的光源的上表面发射的光量。

6．权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的光电探测器包括一个位于所述的光源的下面的监控光电探测器，用于探测向下发射的光、和一个位于外露表面下面的主光电探测器，用于探测从光源的上表面发射的光。

7．权利要求6所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的电源引线是与所述的主光电探测器对应的外露表面分离着的。

8．权利要求3所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的光电探测器包括一个位于所述的光源下面的监控光电探测器，用于探测向下发射的光、和一个位于所述的第一电极层下面的主光电探测器，用于探测从所述的光源的上表面发射的光。

9．权利要求8所述的垂直腔表面发射激光器件，其特征在于所述的电源引线是与对应所述的主光电探测器的外露表面分离着形成的。

10．一种光拾取装置，包括：

一个垂直腔表面发射激光器件，它含有一个半导体衬底、一个具有依次叠加在所述的半导体衬底上的本征缓冲层和第一电极层的光电探测器、和一个具有依次叠加在第一电极层上的第一布喇格所射堆、激发层和一个形成有一个腔体的第二布喇格所射堆的光源，其特征在于，第一电极层具有一个其上面没有形成光源的外露表面，并且一个用于连接第一电极层与外部电源的引线是形成在所述的外露表面上；

一个置于所述的光源和光记录介质之间的物镜，用于聚焦从光源发出的光在光记录介质上形成一个光点；

一个位于光源和物镜之间的衍射器件，用于根据从光源入射的光束的光路改变从物镜入射的光束的光路；和

一个用于探测通过所述的衍射器件的光的主光电探测器。

11．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的衍射器件是一个全息图元件。

12．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的一侧。

13．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的两侧。

14．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的外露表面是形成在光源的周围。

15．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的光电探测器探测光源向下发射的光，以便控制从光源的上表面发出的光量，并且所述的主光电探测器是位于第一电极层的外露表面的下面，靠近光电探测器。

16．权利要求13所述的光拾取装置，其特征在于所述的光电探测器探测光源向下发射的光，以便控制从光源的上表面发射的光量，并且所述的主光电探测器位于第一电极层的外露表面的下面，靠近光电探测器。

17．权利要求10所述的光拾取装置，其特征在于所述的光源及光电探测器和主光电探测器是被一个带有透射窗的壳体封装起来的。

18．权利要求17所述的光拾取装置，其特征在于所述的壳体的透射窗是一个全息图元件。