[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括

一块具有顶表面和底表面的第一导电类型的半导体衬底；

一包括电流阻挡区和电流通过区包含第一导电类型第一掺杂剂和第二导电类型第二掺杂剂的电流通路调节层；

一形成于半导体衬底顶表面和电流通路调节层之间的多层结构，该多层结构包括一层用来发光的有源层和夹着该有源层的一对覆盖层；

一形成于半导体衬底底表面的第一电极；以及

一形成于电流通路调节层的电流阻挡区上的第二电极，其中半导体衬底的顶表面具有一平坦区和一至少形成有一凹槽的槽形区，电流通路调节层的导电性随着凹槽斜面的晶向和半导体衬底顶表面平坦区的晶向而局部变化，和

在槽形区上面的电流阻挡区为第一导电类型，而平坦区上面的电流通过区为第二导电类型。

2.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的半导体衬底顶表面平坦区的晶向为(100)，而槽形区内的凹槽斜面的晶向为A方向。

3.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的具有第二导电类型的覆盖层被形成在电流通路调节层和第二电极之间。

4.一种根据权利要求1的半导体发光器件，还包括形成在电流通路调节层和第二电极之间具有第二导电类型的扩散电流的电流扩散层，以使在电流通路调节层侧的电流通路的截面变得比在第二电极侧的大。

5.一种根据权利要求4的半导体发光器件，

其中的电流扩散层内还包括第二电流通路调节层，

该第二电流通路调节层包含第一导电类型的第一掺杂剂和第二导电类型的第二掺杂剂，以及

第二电流通路调节层包括基于半导体衬底槽形区内凹槽斜面的晶向借第一掺杂剂而具有第一导电类型的第二电流阻挡区和基于半导体衬底平坦区的晶向借第二掺杂剂而具有第二导电性的第二电流通过区。

6.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的电流通路调节层的电流阻挡区为高阻区。

7.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的多层结构包括反射由有源层所产生的光的反射层。

8.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的多层结构是由一层(Al_XGa_1-X)_1-YIn_YP制成的，这里X和Y分别大于等于0小于等于1。

9.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的电流通路调节层是由一层(Al_XGa_1-X)_1-YIn_YP制成的，这里X和Y分别大于等于0小于等于1。

10.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的电流扩散层是由一层Al_XGa_1-XAs制成的，这里X大于等于0小于等于1。

11.一种根据权利要求1的半导体发光器件，其中的电流扩散层是由一层IN_Y(Ga_1-XAl_X)1_-YP制成的，这里X和Y分别大于等于0小于等于1。

12.一种半导体发光器件，包括

一块具有顶表面和底表面的第一导电类型的半导体衬底；

包括一层用来发光的有源层和夹着该有源层的一对覆盖层的多层结构；

一形成于半导体衬底顶表面和多层结构之间的电流通路调节层，该电流通路调节层包括含第一导电类型第一掺杂剂和第二导电类型第二掺杂剂的电流阻挡区和电流通过区；

一形成于半导体衬底底表面上的第一电极；

一形成于电流通路调节层的电流阻挡区上方的第二电极；以及

其中的半导体衬底顶表面具有一平坦区和一至少形成有一凹槽的槽形区，电流通路调节层的导电性随着凹槽斜面的晶向和半导体衬底顶表面平坦区的晶向而局部变化，和

在槽形区上面的电流阻挡区为第一导电类型，而平坦区上面的电流通过区为第二导电类型。

13.一种根据权利要求12的半导体发光器件，其中的电流通路调节层的电流阻挡区为高阻区。