[发明专利]半导体器件隔离方法无效

专利信息
申请号: 96105851.X 申请日: 1996-05-10
公开(公告)号: CN1092401C 公开(公告)日: 2002-10-09
发明(设计)人: 黄民旭;梁兴模;金载浩;崔原泽;洪源徹 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76;H01L21/762
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 隔离 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件隔离方法,包含步骤:

用在所述的非有源区中形成场氧化膜的方法定出半导体衬底的有源区和非有源区;

在所述的有源区内形成扩散层;

在其内形成所述的扩散层的所述半导体衬底的整个表面上形成与所述的扩散层局部连接的布线层;

在所述的布线层上形成覆盖一部分所述的扩散层和与所述的扩散层邻接的场氧化膜周边部分的光敏薄膜图形;

用所述的光敏薄膜图形将所述的布线层形成图形形成平台焊接区;和

用把第一沟道中止杂质注入到在其上形成焊接区的衬底的整个表面的方法,在所述的半导体衬底内在所述的场氧化膜下面形成第一沟道中止杂质层。

2.如权利要求1中所述的半导体器件隔离方法进一步包含在注入所述的第一沟道中止杂质之前去除所述的光敏薄膜图形的步骤。

3.如权利要求2中所述的半导体器件隔离方法进一步包含在去除上述的光敏薄膜图形以后在其上形成所述的焊接区的衬底的整个表面上形成绝缘薄膜的步骤和用各向异性地刻蚀上述绝缘薄膜的方法在上述的焊接区的侧壁上形成隔离层的步骤。

4.如权利要求1中所述的半导体器件隔离方法进一步包括:在形成上述的场氧化膜之前通过把第二沟道中止杂质注入到上述的非有源区形成第二沟道中止杂质层的步骤。

5.如权利要求4中所述的器件隔离方法,在其内上述的第二沟道中止杂质的浓度比上述的第一沟道中止杂质的浓度低。

6.一种半导体器件隔离方法,包括步骤:

通过在所述的非有源区中形成场氧化膜定出半导体衬底的有源区和非有源区,其中所述半导体衬底被定出存储电路部分和外围电路部分;

在所述的存储单元阵列部分的所述的有源区内形成第一导电类型的第一扩散层;

在其内形成所述的第一扩散层的所述的半导体衬底的整个表面上形成与所述的第一扩散层局部连接的布线层;

在所述的布线层上同时形成覆盖一部分第一扩散层以及与所述的第一扩散层邻接的场氧化薄膜周边部分的第一光敏薄膜图形和覆盖在包围所述的在存储单元阵列部分的周边电路部分中准备在其上形成所述的第一导电类型的第二扩散层的部分的第二光敏薄膜;

通过用所述的第一和第二光敏薄膜图形使布线层制成图形的方法同时形成覆盖一部分所述的第一扩散层以及与所述的扩散层邻接的场氧化膜周边部分的焊接区和覆盖准备在其上形成第一导电类型的所述第二扩散层的部分的阻挡层;和

把第二导电类型沟道中止杂质注入到在其上面形成所述的平如焊接区和所述的阻挡层的衬底的整个表面。

7.如权利要求6中所述的器件隔离方法,其中用掺入P型杂质形成所述的第一扩散层和第二扩散层,而所述的沟道中止杂质是N型。

8.如权利要求6中所述的器件隔离方法进一步包含在注入所述的沟道中止杂质之前去除上述的光敏薄膜图形的步骤。

9.一种半导体器件的隔离方法,包括步骤:

由在所述的非有源区内形成场氧化膜来定出半导体衬底中的有源区和非有源区,其中所述半导体衬底被定出存储电路部分和外围电路部分;

在所述的存储单元阵列部分的所述的有源区中形成扩散层;

在其上形成所述的扩散层的所述的半导体衬底的整个表面上形成与所述的扩散层部分连接的布线层;

在所述的布线层上同时形成覆盖一部分所述的扩散层以及与上所的扩散层邻接的场氧化膜周边部分的第一光敏薄膜图形和覆盖围绕所述的存储单元阵列部分的周边电路部分的第二光敏薄膜图形;

通过使用所述的第一光敏薄膜图形和所述的第二光敏薄膜图形使所述的布线层形成图形的方法,同时形成覆盖一部分所述的扩散层以及与所述的扩散层邻接的场氧化膜周边部分的平如焊接区和覆盖所述的周边电路的阻挡层;和

把沟道中止杂质注入到在其上形成所述的平如焊接区和所述的阻挡层的衬底的整个表面。

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