[发明专利]在薄膜致动反射镜中形成连接孔的方法无效
申请号: | 96106433.1 | 申请日: | 1996-07-31 |
公开(公告)号: | CN1164663A | 公开(公告)日: | 1997-11-12 |
发明(设计)人: | 闵庸基 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 反射 形成 连接 方法 | ||
1、一种用于使一薄膜致动反射镜中一有源矩阵上的一薄膜电极与一连接端子电连接的方法,该方法包括有以下步骤:
在该有源矩阵上形成一带有一空腔的第一层;
在该带有空腔的第一层的顶上形成第二层;
在该第二层上形成一连接孔,该连接孔具有内表面;
在包括该连接孔的内表面的第二层的顶上形成薄膜电极,形成一凹陷部分,其内表面被该薄膜电极所覆盖;及
在该凹陷部分中填入一种材料。
2、根据权利要求1所述的方法,其中形成在凹陷部分顶上的材料为金属。
3、根据权利要求1所述的方法,其中形成在凹陷部分顶上的材料为绝缘材料。
4、根据权利要求1所述的方法,还包括有以下步骤:在形成该薄膜电极后,在该薄膜电极的顶上形成一薄膜电致位移层。
5、根据权利要求4所述的方法,其中该凹陷部分顶上的材料为绝缘材料。
6、一种用于制造M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中M及N为整数,该方法包括有以下步骤:
提供一包括一基底和一M×N连接端子阵列的有源矩阵;
在该有源矩阵的顶上形成一具有一M×N对空腔阵列的薄膜待除层;
在该包括有空腔的薄膜待除层上形成一弹性层;
在该弹性层上生成一个M×N的连接孔阵列,各连接孔具有内表面;
在该包括有各连接孔的内表面的弹性层的顶上形成第二薄膜导,形成导致一凹陷部分的阵列,各凹陷的内表面被该第二薄膜层所覆盖;
在各凹陷部分中填入一材料;
在第二薄膜层的顶上接续淀积一薄膜电致位移层及一第一薄膜层;
分别对第一薄膜层、薄膜电致位移层、第二薄膜层和弹性层构型,从而形成一致动机构阵列,各致动机构包括一第一薄膜电极、一薄膜电致位移构件、一第二薄膜电极及一弹性构件;及
去除该薄膜待除层,从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。
7、根据权利要求6所述的方法,其中形成在凹陷部分上的材料为金属。
8、根据权利要求6所述的方法,其中形成在凹陷部分中的材料为绝缘材料。
9、根据权利要求6所述的方法,还包括在形成该致动机构阵列后,形成一覆盖各致动机构的薄膜保护层。
10、根据权利要求6所述的方法,其中该第一薄膜层由导电及反光材料制成。
11、根据权利要求6所述的方法,其中该薄膜电致位移层由压电材料制成。
12、根据权利要求6所述的方法,其中该薄膜电致位移层由电致伸缩材料制成。
13、根据权利要求6所述的方法,其中该第二薄膜层由导电材料制成。
14、一种用于制造M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中M及N为整数,该方法包括有以下步骤:
提供一包括一基底及一M×N连接端子阵列的有源矩阵;
在该有源矩阵的顶上形成一具有一M×N对空腔阵列的薄膜待除层;
在该包括有空腔的薄膜待除层的顶上形成一弹性层;
在该弹性层上形成一M×N连接孔阵列,各连接孔具有内表面;
在包括各连接孔的内表面的弹性层的顶上接续形成一第二薄膜层和一薄膜电致位移层,形成一凹陷部分阵列,各凹陷部分的内表面被该第二薄膜层及该薄膜电致位移层所覆盖;
在各凹陷部分中填入一绝缘材料;
在该薄膜电致位移层的顶上形成第一薄膜层;
分别对第一薄膜层、薄膜电致位移层、第二薄膜层及弹性层进行构型,从而形成一致动机构阵列,各致动机构包括一第一薄膜电极、一薄膜电致位移构件、一第二薄膜电极及一弹性构件;及
去除该薄膜待除层,从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。
15、根据权利要求14所述的方法,还包括在形成该致动机构阵列后,形成一覆盖各致动机构的薄膜保护层。
16、根据权利要求14所述的方法,其中该第一薄膜层由导电及反光材料制成。
17、根据权利要求14所述的方法,其中该薄膜电致位移层由压电材料制成。
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