[发明专利]在一个公共基片上装配集成电路的方法

权利要求书

1.一种在一个公共基片上装配集成电路的方法，所述基片包含一个至少在其上带有一个凹槽区的上表面，所述方法包含下列步骤：

在流体内提供多个定形块，以形成浆体；

使所述浆体在所述基片上以至少有一个所述定形块以选定的取向定位置入于所述凹槽区内的速度在所述基片上循环；

其特征在于，每个所述的定形块具有梯形剖面的外形，以所述选定的取向匹配于所述凹槽区内。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的定形块包括至少一个电子器件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述定形块包括电子器件的一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片从硅晶片、塑料片、砷化镓晶片、玻璃基片以及陶瓷基片中选择。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流体为惰性流体，从水、丙酮和乙醇中选择。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片上的每个所述凹槽区基本上形成与每个所述定形块互补的梯形。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，气体使所述浆体在所述基片上循环。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述气体包括氮气。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的块包含半导体材料。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述的块为截头金字塔形，所述截头金字塔形包括一基面和从所述基面伸向顶部的诸侧面。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基面为矩形和所述侧面共有四个。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于所述基面为正方形和所述侧面共有四个。

13.如权利要求11或12所述的方法，其特征在于，每个所述块的长度约为5微米到2000微米，宽度约为5微米到2000微米，从所述基面到所述上顶部的厚度约为2到500微米。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，由泵使所述浆体在所述基片上再循环。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用机械装置使所述浆体在所述基片上移动。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包含下列步骤：

在所述定形块上设置第一电子器件部分，并提供第二电子器件；

把所述定形块放置到基片上的所述凹槽区；

互连所述定形块与所述第二电子器件部分，所述互连步骤为金属化步骤。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二电子器件部分位于所述基片上。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二电子器件部分位于放置入所述基片的第二凹槽区内的定形块上。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，把位于所述基片上的第三电子器件部分互连到所述第一电子器件部分或者所述第二电子器件部分上。