[发明专利]制造金属氧化物场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，包括以下各步骤：

在一块半导体基片上依次层叠栅氧化膜、第一多晶硅层、绝缘膜和第二多晶硅层，部分腐蚀第二多晶硅层，而形成第二多晶硅层图形；

利用第二多晶硅层图形作掩模，部分地腐蚀绝缘膜；

在上述步骤完成后所得结构的整个裸露的表面上淀积金属膜；

各向异性腐蚀金属膜，因而在第二多晶硅层图形两侧壁上分别形成金属膜侧壁；以及

利用第二多晶硅层图形和金属膜侧壁作掩模腐蚀第一多晶硅层和栅氧化膜而形成栅。

2.根据权利要求1的方法，其中，当腐蚀栅氧化膜时，它的位于栅下面的那一部分未被腐蚀。

3.根据权利要求1的方法，其中的金属膜选自由W、Ta、Ti、Mo、Pt、Ni和Co组成的集合。

4.根据权利要求1的方法，其中的金属膜厚100～1000。

5.根据权利要求1的方法，其中的第一多晶硅层厚100～500。

6.根据权利要求1的方法，其中的绝缘膜厚50～500。

7.一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，包括以下各步骤：

在一块半导体基片上依次层叠栅氧化膜、第一多晶硅层、绝缘膜、第二多晶硅层并根据栅构图工艺使第二多晶硅层和绝缘膜构成图形，因而形成第二多晶硅层图形和绝缘膜图形，然后在所得结构上形成金属膜；

各向异性腐蚀金属膜，因而在第二多晶硅层图形的两侧壁上分别形成金属膜侧壁；

使金属膜退火，因而使金属膜同与之接触的第二多晶硅层图形和第一多晶硅层反应，而形成金属硅化物膜；以及

利用第二多晶硅层图形和金属硅化物膜作掩模，腐蚀第一多晶硅层和栅氧化膜，因而形成具有由第二多晶硅层图形、金属硅化物膜、第一多晶硅层图形和绝缘膜图形构成的多硅化物结构的栅。

8.根据权利要求7的方法，其中，当腐蚀栅氧化膜时，甚至当栅氧化膜的厚度很薄时，借助于起到腐蚀阻挡膜作用的第一多晶硅层，也不腐蚀位于栅下面的那一部分栅氧化膜。

9.根据权利要求7的方法，其中的金属膜选自由W、Ta、Ti、Mo、Pt、Ni和Co组成的集合。

10.根据权利要求7的方法，其中的金属膜厚100～1000。

11.根据权利要求7的方法，其中的第一多晶硅层厚100～500。

12.根据权利要求7的方法，其中的绝缘膜厚50～500。

13.一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，包括以下各步骤：在一块半导体基片上依次层叠栅氧化膜、第一多晶硅层、绝缘膜、第二多晶硅层并根据栅构图工艺使第二多晶硅层和绝缘膜构成图形，因而形成第二多晶硅层图形和绝缘膜图形，然后在所得结构上形成金属膜；

使金属膜退火，因而使金属膜同与之接触的第二多晶硅层图形和第一多晶硅层反应，因而当使第一多晶硅层构图时，形成金属硅化物膜；以及

各向异性腐蚀金属硅化物膜，因而在第二多晶硅层图形的两侧壁分别形成金属硅化物膜侧壁，因而形成具有由第二多晶硅层图形、金属硅化物侧壁、第一多晶硅层图形和绝缘膜图形构成的多硅化物结构的栅。

14.根据权利要求13的方法，还包括在栅形成后的腐蚀栅氧化膜的步骤

15.根据权利要求13的方法，其中，当腐蚀栅氧化膜时，甚至当栅氧化膜的厚度很薄时，借助于起到腐蚀阻挡膜作用的第一多晶硅层，也不腐蚀位于栅下面的那一部分栅氧化膜。

16.根据权利要求13的方法，其中的金属膜选自由W、Ta、Ti、Mo、Pt、Ni和Co组成的集合。

17.根据权利要求13的方法，其中的金属膜厚100～1000。

18.根据权利要求13的方法，其中的第一多晶硅层厚100～500。

19.根据权利要求13的方法，其中的绝缘膜厚50～500。