[发明专利]台阶阵列阴极真空微电子压力传感器无效
| 申请号： | 96107141.9 | 申请日： | 1996-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1057384C | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | 夏善红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L21/02 | 分类号： | G01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台阶 阵列 阴极 真空 微电子 压力传感器 | ||
【权利要求书】：
1.台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，包括阳极压力敏感膜(1)、尖锥阵列阴极(2)、在阳极压力敏感膜(1)与尖锥阵列阴极(2)之间的真空腔(3)、阳极压力敏感膜(1)与尖锥阵列阴极(2)封接处的绝缘层(4)，其特征是阴极呈四周高中间低的台阶状。
2.按权利要求1所述的台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，其特征是凹进台阶(5)与(2)之间的高度距离为1-20μm。
3.按权利要求1或2所述的台阶阵列阴极真空微电子压力传感器，其特征是台阶(5)的边长与阴极阵列(2)的外边长之比为1/4-3/4。
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