[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备无效
申请号: | 96107253.9 | 申请日: | 1996-03-30 |
公开(公告)号: | CN1154571A | 公开(公告)日: | 1997-07-16 |
发明(设计)人: | 高木干夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社F.T.L |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,叶恺东 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,其中在热壁型加热炉中,放置和加热单片晶片或多片晶片,其特征是,
将多个相对放置的储热板(10)预热到热处理温度,随后,将一片或相对的两片晶片(8)放入相对的储热板(10)之间,以单片晶片或多片晶片的整个表面基本上对着储热板的至少一部分的方式,使单片或多片晶片在所述热处理温度下迅速加热。
2.一种制造半导体器件的方法,其中在热壁型加热炉中放置和加热单片或多片晶片,其特征是:
把储热板(10)预热到热处理温度,每片晶片(8)与储热板(10)接触,储热板(10)基本覆盖晶片(8)的整个表面,或者晶片夹在紧靠储热板(10)的附近的位置,由此在所述热处理温度迅速热处理晶片(8)。
3.按权利要求1或2的方法,其特征是,所述储热板(10)设置在使具有热处理温度的反应气体通向晶片(8)的孔(39)。
4.一种制造半导体器件的方法,其中一片以上的晶片在装有加热器的热壁型加热炉内迅速被热处理,其特征是
每片晶片(8)位于紧靠加热器(5)附近的位置,由此在所述热处理温度迅速热处理晶片(8)。
5.按权利要求1至4中任何一次的方法,其特征是,所述晶片(8)预先夹持在热壁型加热炉的低温区(L)中,然后移进高温区(H)。使晶片(8)热处理。
6.一种制造半导体器件的设备,装备有夹紧装置,用于将晶片送入热处理区和从热处理区取出晶片,其特征是
所述设备在热处理区内安装有多个相对的彼此按一定间隔分开的储热板(10),单片或相对的两片晶片(8)可放入两个相对放置的储热板(10)之间的间隔内,而且所述的夹紧装置(6)可在储热板(10)之间插入单片或多片晶片(10)。
7.一种制造半导体器件的设备,装有将单片或多片晶片送入热处理区和从热处理区取出的夹紧装置,其特征是,
所述设备在热处理区内安装有储热板(10),而且所述夹紧装置(6)使每片晶片(8)与储热板(10)接触,储热板(10)基本上覆盖晶片(8)的整个表面,或在紧靠储热板(10)的位置处夹紧每片晶片(8)。
(8)一种制造半导体器件的设备,它包括热壁型加热炉,将炉内加热到热处理温度的加热器,和夹紧并将单片或多片晶片(8)送入热壁型加热炉内和从炉中取出晶片的装置,其特征是,
加热器(7C)所处的方向是使所述加热器(70)的一部分有垂直于夹紧装置(6)的移动方向的表面,而且,夹紧装置(6)可移动单片或多片晶片(8),直到晶片保持在紧靠加热器(70)的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社F.T.L,未经株式会社F.T.L许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96107253.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造