[发明专利]固体钛催化剂组分、其制备方法,含有该组分的烯烃聚合催化剂,以及烯烃聚合方法无效
申请号: | 96107402.7 | 申请日: | 1996-05-17 |
公开(公告)号: | CN1091450C | 公开(公告)日: | 2002-09-25 |
发明(设计)人: | 古城真一;木岡護 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | C08F10/00 | 分类号: | C08F10/00;C08F4/656 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 林蕴和 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 催化剂 组分 制备 方法 含有 烯烃 聚合催化剂 以及 聚合 | ||
发明领域
本发明涉及用以制备聚烯烃的固体钛催化剂组分,制备该固体钛催化剂组分的方法,含有该催化剂组分的烯烃聚合催化剂,以及使用该催化剂的烯烃聚合方法。
发明背景
含有钛催化剂组分和有机铝化合物的齐格勒—纳塔催化剂已被广泛使用作为制备聚烯烃的常规催化剂。首先,已知含有承载在载体上的固体钛催化剂组分作为钛催化剂组分的催化剂呈现高聚合活性。
也已知道含有承载在氯化镁上的钛催化剂组分的催化剂,在聚合丙烯和丁烯之类的烯烃时具有高聚合活性,而且产生高立构规整度的聚烯烃。
此外,已提出了各种可产生更高立构规整度聚烯烃的催化剂。例如,已提出一种承载在氯化镁上的固体钛催化剂组分和有机铝组分之外,含有一种供电子化合物(电子给体)作为第三种组分的催化剂。
但是,使用含有这样的固体钛催化剂组分的催化剂来聚合烯烃时,存在的问题是在高立构规整度的聚烯烃以外,还产生出低立构规整度的聚烯烃作为副产品。而且,即使使用含有电子给体作为第三组分的制备高规整度聚烯烃用的催化剂,低立构规整度聚烯烃数量的减少也是有限的。
固体钛催化剂组分是将钛化合物、镁化合物、和电子给体等相互接触而制得的。这样制得的固体钛催化剂组分中,含有会导致产生低立构规整度聚烯烃的过剩的钛化合物。为了产生高立构规整度的聚烯烃,希望固体钛催化剂组分中不含有过剩的钛化合物。
已经知道,在室温下用己烷洗涤固体钛催化剂组分,可部分地除去过剩的钛化合物。此外,还提出了一种制备固体钛催化剂组分的方法,其中利用溶剂来除去由钛化合物、镁化合物、和电子给体接触而得的固体中的过剩钛化合物。例如,日本专利公开124909/1984就说明了可用甲苯之类的芳烃将过剩的钛化合物有效地洗掉。
但是,按上述方法用芳烃洗涤固体钛催化剂组分时,电子给体会随过剩的钛化合物一起被洗掉,结果固体钛催化剂组分不能充分发挥其减少低立构规整度聚烯烃数量的作用。
因此,需要开发出一种固体钛催化剂组分和包含该组分的催化剂,它能以高活性产生高立构规整度的聚烯烃,同时能减少产生的低立构规整度聚烯烃的数量。
发明目的
本发明是在上述情况下作出的,本发明目的之一是提供一种固体钛催化剂组分,它能减少作为副产品的低立构规整度聚烯烃的数量,同时以高活性产生高立构规整度的聚烯烃。本发明的另一目的是提供种制备该固体钛催化剂组分的方法。本发明的再一个目的是提供一种含有该固体钛催化剂组分的烯烃聚合催化剂,以及使用该烯烃聚合催化剂的烯烃聚合方法。
发明概述
本发明的固体钛催化剂组分包含镁、钛、卤素和一种电子给体,并具有下列性质:
(1)钛含量不大于2.5%(重量),
(2)镁和卤素的总量为65-92%(重量),
(3)电子给体的含量为8-30%(重量),
(4)电子给体与钛的重量比为7-40,和
(5)在室温下用己烷洗涤该固体钛催化剂组分时,钛基本上不会被消除,而在90℃下用邻二氯苯洗涤时,钛含量减少率小于15%(重量)。
制备本发明固体钛催化剂组分的方法包括将
(i)含有镁、钛、卤素、和一种电子给体的固体钛(它在室温下用己烷洗涤时,钛不会被消除),与
(ii)偶极矩为0.50-4.00德拜的极性化合物在温度至少为40℃下接触,使固体钛(i)中钛的含量至少降低25%(重量),从而制得电子给体与钛的重量比至少为7的固体钛催化剂组分。
所述偶极矩为0.50-4.00德拜的极性化合物较好的是含卤素的芳烃。
与偶极矩为0.50-4.00德拜的极性化合物(ii)接触的固体钛(i),其电子给体与钛的重量比最好不大于6。
固体钛(i)最好是把(a)一种液态镁化合物、(b)一种液态钛化合物、和(c)一种电子给体相互接触而得的固体(1)。这固体钛(i)也可以是将固体(1)进一步与液态钛化合物(b)接触而得的固体(2)。
本发明的烯烃聚合催化剂包括所述固体钛催化剂组分(A)、有机金属化合物(B)、和具有至少一个烷氧基的有机硅烷化合物(C)。
本发明的另一种烯烃聚合催化剂是一种预聚合催化剂,它是通过把一种链烯预聚合或预共聚到上述固体钛催化剂组分(A)、有机金属化合物(B)、和可任选的具有至少一个烷氧基的有机硅烷化合物(C)之上而制得的。
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