[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在具有结区的硅衬底上形成绝缘膜；

使所说的绝缘膜形成图形，直到露出所说结区的所说硅衬底，由此，形成接触孔；

接着，进行湿式清洁处理和等离子处理，以便除去所说露出的硅衬底上的自然氧化层和沾污物；

形成非晶硅膜；

把硅离子注入到所说的非晶硅膜；

热处理所说非晶硅膜，以便形成多晶硅膜。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于，利用BOE和HF任一种进行湿式清洁处理。

3.按照权利要求1的方法，其特征在于，利用CF₄气体进行等离子处理，时间为20到40秒。

4.按照权利要求1的方法，其特征在于，通过在560℃到580℃热分解SiH₄的LPCVD工艺，淀积所说的非晶硅膜。

5.按照权利要求1的方法，其特征在于，淀积所说的非晶硅膜，厚度为1000到3000A。

6.按照权利要求1的方法，其特征在于，用大约10¹⁵cm^-2数量级的剂量注入所说的硅离子。

7.按照权利要求1的方法，其特征在于，在氮气中以500到700℃热处理所说的非晶硅膜，由此，使之转变为多晶硅膜。