[发明专利]电子发射器件及制法,具有该器件的电子源及成象装置无效
申请号: | 96107769.7 | 申请日: | 1996-05-30 |
公开(公告)号: | CN1090379C | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
发明(设计)人: | 岸文夫;长田芳幸;河出一佐哲;塚本健夫;吉田茂树;日下贵生 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J1/316 | 分类号: | H01J1/316;H01J31/12;H01J9/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 制法 具有 成象 装置 | ||
1.一种电子发射器件,包括一对相互对置设置的器件电极,和所述一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜,以及在所述导电薄膜的一部分中形成的电子发射区,其特征在于:
在所述导电薄膜上形成有一低功函数材料层,其功函数低于所述导电薄膜;
所述导电薄膜由包含作为主要组成元素的第一金属元素和至少一种第二金属元素的细微粒构成;
其中所述第二金属元素形成低功函数材料层;以及
当在所述一对电极之间施加电压时,所述第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分运动。
2.如权利要求1的电子发射器件,其特征在于所述导电薄膜由包括所述第一金属元素和所述第二金属元素的合金的细微粒构成。
3.如权利要求1的电子发射器件,其特征在于所述导电薄膜包括由所述第一金属元素构成的细微粒和由所述第二金属元素构成的细微粒。
4.如权利要求1的电子发射器件,其特征在于所述第一金属元素的最稳定的离子的离子半径大于所述第二金属元素的最稳定的离子的离子半径。
5.如权利要求1的电子发射器件,其特征在于所述导电薄膜由具有包括所述第一金属元素的相的结构的细微粒构成。所述的相包括由所述第一金属元素和所述第二金属元素构成的中间金属化合物的相。
6.如权利要求5的电子发射器件,其特征在于所述第一金属元素是贵金属元素,所述第二金属元素是碱金属元素或碱土金属元素。
7.如权利要求6的电子发射器件,其特征在于所述导电薄膜基本上由贵金属元素和碱金属元素或碱土金属元素构成,使得所述导电薄膜具有碱金属元素或碱土金属元素的含量范围为3原子%到8原子%的平均成分。
8.一种电子源,其特征在于包括:
一个或几个器件行,每个所述器件行包括许多如权利要求1到7的任何一个所述的电子发射器件;以及
用于驱动所述电子发射器件的互连。
9.如权利要求8的电子源,其中所述互连是一种梯形的互连。
10.如权利要求8的电子源,其中所述互连按矩阵形设置。
11.一种图象形成装置,其特征在于包括:
真空容器;
按照权利要求8的电子源;以及
图象形成构件,它响应由所述电子源发出的电子束照射到所需象素上而发光,借以形成图象;
其中所述电子源和所述图象形成构件被容纳在所述真空容器中。
12.如权利要求11的图象形成装置,其特征在于所述互连以矩阵形成设置。
13.如权利要求11的图象形成装置,其特征在于所述的图象形成构件是包括荧光物质的荧光膜。
14.如权利要求11所述的图象形成装置,其特征在于还包括:
电子束调制装置,用来响应输入信号调制照射到所述图象形成构件上的电子束;
其中所述电子源,所述图象形成构件,以及所述电子束调制装置被容纳在所述真空容器内。
15.如权利要求14的图象形成装置,其特征在于所述互连是一种梯形的互连。
16.如权利要求14的图象形成装置,其特征在于所述互连按矩阵开设置。
17.如权利要求14的图象形成装置,其特征在于所述图象形成构件是含有荧光物质的荧光膜。
18.一种用于恢复按照权利要求1至7的任何一个的电子发射器件,按照权利要求8至10任何一个的电子源以及按照 11至18任何一个的图象形成装置的特性的方法,所述方法其特征在于包括对所述电子发射器件施加电压的步骤,所述电压值的选择范围是,大于所述电子发射器件关于器件电流的门限电压,低于在正常电子发射操作中使用的所加电压。
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