[发明专利]全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体二极管芯片组件，包括：

一硅半导体二极管芯片；及

一钝化玻璃护封件；

其特征在于：

该钝化玻璃护封件由玻璃粉调制的调剂烧结而成；

该半导体二极管芯片的周缘是自N电极面至P电极面，含P-N结层面，为完全切断状态；且

该钝化玻璃护封件覆盖于该半导体二极管芯片周缘的全部。

2.如权利要求1所述的半导体二极管芯片组件，其中芯片的形状为圆锥台形，方锥台形或六边锥台形。

3.如权利要求1所述的半导体二极管芯片组件，其中该芯片的切断面与其N型层的夹角约为90°。

4.如权利要求1所述的半导体二极管芯片组件，还含有一个在P电极表面的金属镀膜及一个在N电极表面的金属镀膜。

5.如权利要求4所述的半导体二极管芯片组件，其中芯片P面或N面的镀膜可以是铝镀膜、镍、银或金二次镀膜。

6.一种制造半导体二极管芯片的方法，包括：

将完成P-N结扩散的半导体二极管圆片依需要的尺寸切成单个芯片，使其P型层、P-N结及N型层裸露于切口断面；

蚀磨处理芯片的P-N结全切面，使其适合进行护封；

在其P-N结全切面部位涂上钝化玻璃护封剂；以及

对该玻璃护封剂进行烧结处理，形成护封件；

其特征在于：

该钝化玻璃护封剂由玻璃粉调制而成；

该玻璃护封件形成于芯片的裸露的P-N结及切断面的全部。

7.如权利要求6所述的方法，其中芯片的形状为圆锥台形，方锥台形或六边锥台形。

8.如权利要求6所述的方法，其中芯片的切割面与芯片N型层的夹角约为90°。

9.如权利要求6所述的方法，还包括在芯片的P面及N面各形成一个金属镀膜。

10.如权利要求9所述的方法，其中该P面或N面的镀膜可以是铝镀膜、镍、银或金二次镀膜。