[发明专利]阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征是：

一个第一导电类型半导体材料并带有一个表面(22)的衬底区(21)；

一个形成在衬底区(21)中并邻接于沟道区(39)的第二导电类型的源区(29)；

一个排列在衬底区(21)中的第一注入区(33)，使第一注入区(33)在表面(22)处与源区(29)连接，且在衬底区(21)的表面(22)之下伸入沟道区(39)，此第一注入区(33)具有第一导电类型的第一浓度；以及

一个排列在源区(29)和第一注入区(33)之间的、在表面(22)处伸过第一注入区(33)且进入沟道区(39)的第二注入区(36)，其中的第一注入区(33)和第二注入区(36)在与源区(29)的交点处形成一个恒定掺杂分布轮廓区，第二注入区(36)具有第一导电类型的第二浓度。

2.权利要求1的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第一浓度约为1×10¹⁷原子/cm³-1×10¹⁸原子/cm³。

3.权利要求1的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第二浓度约为1×10¹⁷原子/cm³-1×10¹⁸原子/cm³。

4.权利要求1的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，排列在源区(29)和第二注入区(36)之间的第三注入区(52)，此第三注入区(52)是第二导电类型的。

5.权利要求4的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第三注入区(52)的表面浓度约为1×10²⁰原子/cm³。

6.权利要求1的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于：

一个制作在衬底区中的第二导电类型的漏区(31)；

一个排列在漏区之下且延伸到漏区(31)的沟道侧中的第四注入区(54)，此第四注入区(54)具有第一导电类型的第四浓度；以及

一个排列在漏区(31)和第四注入区(54)之间且伸入漏区(31)的沟道侧的第五注入区(56)，其中的第四和第五注入区(54、56)在同漏区相交处形成一个恒定掺杂的第二掺杂分布轮廓区，此第五注入区(56)具有第一导电类型的第五浓度。

7.权利要求6的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第四浓度约为1×10¹⁷原子/cm³-1×10¹⁸原子/cm³。

8.权利要求6的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第五浓度约为1×10¹⁷原子/cm³-1×10¹⁸原子/cm³。

9.权利要求6的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，一个排列在漏区(31)和第五注入区(56)之间的第六注入区(53)，此第六注入区(53)是第二导电类型的。

10.权利要求9的具有稳定的阈值电压的场效应晶体管(20)，其特征在于，第六注入区(53)的表面浓度约为1×10²⁰原子/cm³。