[发明专利]用于测量细胞活性的具有光电导层的二维传感器和用于同样目的的测量系统无效
申请号: | 96108204.6 | 申请日: | 1996-06-19 |
公开(公告)号: | CN1099595C | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 杉原宏和;竹谷诚;龟井明仁;岩崎裕 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01N33/487 | 分类号: | G01N33/487;G01N27/00;G01D5/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,王岳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 细胞 活性 具有 电导 二维 传感器 同样 目的 系统 | ||
1.一种用于测量电细胞活性变化的二维传感器,所述传感器包括:
一个当采用激光束光照射时其导电率增大的光电导层;
一个在所述光电导层正面形成的绝缘层;
一个在所述光电导层背面形成的作用电极;和
一个安置在接近所述绝缘层的用于装细胞、培养基和一个参照电极的细胞支撑器,
其中,当所述激光束照射在所述作用电极上产生一个光斑时,从所述作用电极获得信号,并且所述信号大体对应于所述激光束照射出的所述光斑处的由所述电细胞活性导致的电位变化。
2.根据权利要求1所述的二维传感器,其特征在于,所述光电导层包括半导体。
3.根据权利要求1所述的二维传感器,其特征在于,所述光电导层包括光导电聚合物。
4.一种用于测量电细胞活性变化的测量系统,所述系统包括:
一个二维传感器,它包括:一个当采用激光束光照射时其导电率增大的光电导层,一个在所述光电导层正面形成的绝缘层,一个在所述光电导层背面形成的作用电极,和一个安置在接近所述绝缘层的用于装细胞、培养基和一个参照电极的细胞支撑器;
一个用于采用激光束照射在作用电极上产生一个光斑的激光束光源;
一个直流电源,用于将直流偏压加在所述光电导层背面上的作用电极和所述光电导层正面上的所述细胞支撑器内的参照电极之间;
一个处理器,用于处理在所述作用电极与参照电极之间获得的信号,
其中,当所述激光束照射在所述作用电极上产生一个光斑时,从所述作用电极获得信号,并且所述信号大体对应于所述激光束照射出的所述光斑处的由所述电细胞活性导致的电位变化。
5.根据权利要求4所述的测量系统,其特征在于,所述系统还包括维持在传感器上细胞支撑器内细胞培养环境用的装置。
6.根据权利要求4所述的测量系统,其特征在于,所述系统还包括使从所述激光束光源射出的激光束在所述光电导层背面预定面积上进行扫描用的装置。
7.根据权利要求4所述的测量系统,其特征在于,所述系统还包括激光器矩阵,后者包括多个排成矩阵的激光元件,每个激光元件射出与所述光电导层背面垂直的激光束。
8.根据权利要求4所述的测量系统,其特征在于,所述系统还包括X-Y平台,后者控制所述二维传感器的水平位置,从而改变所述传感器上激光照射光斑的位置。
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