[发明专利]用于形成钨布线的方法

权利要求书

1.一种用于形成钨布线的方法，其特征在于包括以下步骤：

在半导体衬底上形成钨结层；

在钨结层上形成钨膜；

形成适当的光致抗蚀剂膜图形，以暴露钨膜上相应于将形成金属布线的部分；

固化光致抗蚀剂膜图形；

在钨膜暴露的部分上选择性地形成铜薄膜；

利用氯基等离子体对铜薄膜进行处理，从而形成氯化铜薄膜；

除去光致抗蚀剂膜图形；

把氯化铜薄膜作为掩模对钨膜和钨结层进行刻蚀；

除去氯化铜薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于钨结层由钛和氮化钛(Ti/TiN)膜所组成的多层结构构成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于钨结层的厚度为500到1,000。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于钨膜的厚度为3,000到5,000。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用WF₆-H₂反应的化学气相淀积法来形成钨膜。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过对负型光致抗蚀剂进行光刻来形成光致抗蚀剂膜图形。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于光致抗蚀剂膜图形的厚度为0.5到0.7μm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于在120到200℃的温度下进行固化步骤。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用Cu(HFA)₂-H₂反应的化学气相淀积法来形成铜薄膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于在低于200℃的温度和2到3乇气压下进行化学气相法。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于铜薄膜的厚度为1,000到3,000。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用氯基等离子体对铜薄膜进行处理而形成的氯化铜薄膜的厚度比铜薄膜的厚度大1.5到2倍。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于使用100到5000毫乇的气压和250到600瓦的电功进行使用氯基等离子体的处理。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用氧等离子体的干刻蚀方法除去光致抗蚀剂膜图形。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用氟基等离子体的刻蚀方法进行钨膜的刻蚀步骤。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于使用100到300毫乇的气压和100到600瓦的电功进行钨膜的刻蚀步骤。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于依据使用氯基等离子体的刻蚀方法进行钨结层的刻蚀步骤。

18.如权利要求1或15所述的方法，其特征在于使用100到200毫乇的气压和100到300瓦的电功进行钨结层的刻蚀步骤。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于使用PEt₃除去氯化铜薄膜。