[发明专利]选色电极的单轴张力聚焦荫罩上形成绝缘体的方法及设备无效
申请号: | 96108268.2 | 申请日: | 1996-09-17 |
公开(公告)号: | CN1095185C | 公开(公告)日: | 2002-11-27 |
发明(设计)人: | E·S·波林尼亚克 | 申请(专利权)人: | 汤姆森多媒体公司 |
主分类号: | H01J9/14 | 分类号: | H01J9/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,王忠忠 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 张力 聚焦 荫罩上 形成 绝缘体 方法 设备 | ||
本发明涉及在阴极射线管(CRT)的选色电极的主表面上形成绝缘体的方法及设备,更具体地说,涉及一种具有用本发明的方法及设备制成的单轴张力聚焦荫罩的彩色CRT。
一种单轴张力聚焦荫罩具有配置成邻靠CRT屏幕的有效图像的众多间隔分开的第一金属绞线。各第一金属绞线间的间隔界定与屏幕荧光体线平行的众多隙缝。通过屏幕有效图像面积的每一第一金属绞线具有在其对向屏幕表面上的连续绝缘体层。第二绝缘体层重叠于第一绝缘体层。众多第二金属绞线取向成实质上垂直于第一金属绞线,及藉第二绝缘体层结合于其上。单轴张力聚焦荫罩在工作期间,二不同电势加于第一及第二金属绞线而将经聚焦荫罩中的槽缝透射的电子束聚焦。
制造单轴张力聚焦荫罩的方法包括藉例如传统喷涂法提供绝缘反玻璃化玻璃焊料(devitifying solder glass)的第一覆盖层于荫罩板的第一金属绞线的对向屏幕侧面。适用溶剂及丙酸烯粘合剂与反玻璃化玻璃焊料混合,以使第一覆盖层有适度的机械强度。反玻璃化玻璃焊料为一种在特定温度熔化而形成结晶玻璃绝缘体的玻璃。产生的结晶玻璃绝缘体稳定,且再加热至同一温度时将不再熔化。此第一覆盖层厚约0.14mm。将荫罩固着于框架上,并放入烘箱内,且使第一覆盖层在约80℃的温度下予以干燥。干燥后,将第一覆盖层定型,使其受第一金属绞线屏蔽,以阻止通过隙缝的电子束冲击在绝缘体上及使其充电。定型作用在第一覆盖层上进行,刮除或以他种方法除去伸出第一金属绞线边缘的及将被偏转或不偏转电子束接触的第一覆盖层的任何玻璃焊料。将其上固着有荫罩的框架放入烘箱及在空气中加热。包括框架及荫罩的结构物在30分钟期间加热至300℃的温度,及在300℃下保持20分钟。然后,在20分钟期间,烘箱温度增加至460℃及在此温度下保持一小时,以使第一覆盖层熔化及结晶而在第一金属绞线上形成第一绝缘体层。所产生的第一绝缘体层仅为大致连续性,亦即层中包含孔隙,这些孔隙是由由烘除用以沉积传统式喷涂的第一覆盖层的粘合剂与溶剂所导致的。烘烤后,第一绝缘体层具有横过每一第一金属绞线的0.05至0.09mm(2至3.5密尔)范围的厚度。其次,与溶剂混合的适宜绝缘材料的第二覆盖层例如藉传统喷涂法涂敷于第一绝缘体层。第二覆盖层最好为非反玻璃化(亦即玻璃质)玻璃焊料。选用玻璃质玻璃焊料为第二覆盖层,因其熔化时,将填充上述第一绝缘体层表面上的孔隙而对第一绝缘体层的电学及机械特性无不利影向。另一种替代方式,可使用反玻璃化的玻璃焊料形成第二覆盖层。涂敷的第二覆盖层厚约0.025至0.05mm(1至2密尔)。第二覆盖层如前文所说在80℃温度予以干燥及定型,除去能被电子束冲击的任何多余材料。随后,于绝缘材料的第二覆盖层上重叠涂敷第二金属绞线。第二金属绞线实质上垂直于第一金属绞线。
第一及第二绝缘体层的传统式喷涂步骤需使干玻璃材料与至少一种适宜溶剂及通常一种粘合剂混合。传统式喷涂步骤浪费绝缘材料,因大部份绝缘材料通过荫罩板上的大隙缝或孔。此外,多余材料不能回收利用,且在固化喷涂的混合物成玻璃绝缘体层的烘烤步骤前,需要干燥步骤。进而言之,传统式喷涂材料通常不仅粘着于荫罩孔边缘,且常泼浅至第一金属绞线的反向设置的电子的相向表面,及必须予以除去以及自孔边缘除去,以防止电子束对绝缘体层充电。
通过简化涂敷绝缘材料以在荫罩板上形成绝缘体的步骤,以消除前文说明的材料浪费及减少制作单轴张力聚焦荫罩所需时间。亦需提供不包含孔隙的第一绝缘体,以增加单轴张力聚焦荫罩的电整体性。
一种在单轴张力聚焦荫罩一个主表面上形成绝缘体的方法及设备,包括下列步骤:将具有自其第一主表面延伸穿过主体部份至相向设置的第二主表面的众多孔的荫罩板,与具有一干粉状绝缘材料源之一的充电枪配置成一距离;充电及导引干粉状绝缘材料趋向荫罩板的第一主表面,在至少一部份主表面上提供一层带电荷的干粉状绝缘材料的覆盖层,及设有设备用以阻止带电荷的干粉状绝缘材料进入各孔及沉积于荫罩板周围的各孔的主体部份及第二主表面上。本说明书亦说明实施此一方法的设备。
本发明将参照附图予以详细说明。
图1为根据本发明制成的彩色CRT的部份轴向断面的平面图。
图2为用于图1的CRT的单轴张力聚焦荫罩的平面图。
图3为沿图2线3-3所取的单轴张力聚焦荫罩的正视图。
图4为图2圆圈4内所示单轴张力聚焦荫罩的放大断面图。
图5为沿图4线5-5所取单轴张力聚焦荫罩及发光屏幕的断面图。
图6为图5圆圈6内部份单轴张力聚焦荫罩的放大图。
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