[发明专利]磁阻效应型磁头的制造方法及所用晶片

权利要求书

1.一种晶片，其特征在于：该晶片配置有磁阻效应元件和至少1个其它磁阻效应元件，该至少一个其它磁阻效应元件在形成于晶片上的磁阻效应元件的再生磁道宽度方向的垂直方向的磁阻效应传感器膜的尺寸为MR高度时，具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度。

2.如权利要求1所述的晶片，其特征在于：上述磁阻效应元件构成多个一组的朝向同一方向而且排成一列的元件列，该元件列以多列的形式设于晶片上，而且在上述各元件列设置至少1个上述的其它磁阻效应元件。

3.如权利要求2所述的晶片，其特征在于；在上述各元件列配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。

4.如权利要求1所述的晶片，其特征在于：至少配置2个MR高度相互不同的上述其它磁阻效应元件。

5.如权利要求4所述的晶片，其特征在于：当晶片上的磁阻效应元件露出面研磨后的相对于磁阻效应传感器膜的露出面向里的方向上的目标尺寸定为MR传感器尺寸时，上述其它磁阻效应元件的至少1个具有大于规定的MR传感器高度的MR高度。

6.如权利要求1所述的晶片，其特征在于：上述磁阻效应元件构成以多个为一组的朝向同一方向并且排成一列的元件列，以多列上述元件列为1组构成区域，在上述晶片上设有多个上述区域，上述其它磁阻效应元件在上述各区域至少配置1个。

7.如权利要求6所述的晶片，其特征在于：在上述各区域配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。

8.一种磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：

准备晶片的步骤，即在晶片上配置磁阻效应元件以及至少1个其它磁阻效应元件，当将形成于晶片上的磁阻效应元件的在与再生磁道宽度方向垂直的方向的磁阻效应传感器膜的尺寸作为MR高度时，该至少1个其它磁阻效应元件具有与上述磁阻效应元件的MR高度不同的MR高度；

构成元件列，该元件列中上述的磁阻效应元件以多个为1组、朝向同一方向并排成1列；

设置多列该元件列；

测量上述磁阻效应元件的电阻值与上述其它磁阻效应元件的电阻值的步骤；

将晶片的形成有上述元件列的部分切断形成滑条的步骤；以及

将相对于研磨上述滑条上的磁阻效应元件的露出面后的磁阻效应传感器膜的露出面向里方向上的目标尺寸作为MR传感器高度时，根据由上述电阻值确定的MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值，研磨上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面，将其MR高度成为上述MR传感器高度的步骤。

9.如权利要求8所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于：在上述滑条上配置至少1个上述其它磁阻效应元件。

10.如权利要求9所述的磁阻效应型磁头制造方法，其特征在于，在上述滑条上配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。

11.如权利要求8所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于：将上述元件列多列作为1组构成区域，在上述晶片上设置多个上述区域，在上述各区域至少配置1个上述其它磁阻效应元件，上述滑条上的上述磁阻效应元件的露出面的研磨，根据包括上述滑条的区域内的上述磁阻效应元件的电阻值与由上述其它磁阻效应元件的电阻值所确定的上述MR高度是上述MR传感器高度的磁阻效应元件的电阻值来进行。

12.如权利要求11所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于：在上述各区域配置1个以上5个以下的上述其它磁阻效应元件。