[发明专利]半球型硅晶粒生长的方法

权利要求书

1、一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

提供一基底，放置在沉积系统中，该基底具有一露出表面，其主要包含硅；

在该沉积系统中产生一等离子区；

维持该基底在一低于600℃的温度下；

向该沉积系统提供至少一种包含硅的反应气体，以使该沉积系统内产生包含硅的离子，并且传送至该露出的导体表面，以便在该露出的导体表面上沉积一层半球型硅晶粒。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该沉积系统为一电子回旋共振式化学气相沉积系统，该沉积系统具有一气流通道，其由一第一气体入口穿越一反应气体激发区延伸至一沉积系统气体出口，该沉积系统气体出口连接一泵系统。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该基底置放在气流通道的反应气体激发区的下游。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该沉积系统包括一第二气体入口，该第二气体入口沿着该气流通道且位于该等离子区及该基底之间。

5、根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在向该沉积系统提供至少一种包含硅的反应气体，以使该沉积系统内产生包含硅的离子，并且传送至该露出的导体表面，以便在该露出的导体表面上沉积一层半球型硅晶粒的步骤时，含硅的反应气体通入该沉积系统的第二气体入口。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法还包括由该沉积系统的第一气体入口提供一载气的步骤，以使得该载气在等离子区中被离子化。

7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该露出表面在该硅基底放入该沉积系统之前先被氢化。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该露出表面以氟化氢清洗。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该硅基底温度被维持在200至500℃之间。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该沉积系统在总压5～60mTorr下操作。

11、根据权利要求1所述的方法，  其特征在于，该方法还包括在该半球型硅晶层上沉积一电介质层，该电介质层的厚度小于15nm。

12、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括在该半球型硅晶粒层上沉积一氮化硅层。

13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该方法还包括在该氮化硅层上形成一氧化层，接着在该氧化层上形成一导电材料层的步骤。

14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该氮化硅层被沉积在形成于该半球型硅晶粒表面的一原生氧化层之上。

15、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该导电材料层包括多晶硅。