[发明专利]用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置

权利要求书

1、一种等离子体加工装置，它包括：

一个具有一个将所述的真空反应室的内外隔开的器壁的真空反应容器，所述的器壁有一个电介质部分和一个电接地的导电部分；

一个放置在所述的真空反应容器外面并与所述的电介质部分相邻的扁平电线圈；

一个借助一个主要的调谐机制为所述线圈提供高频电流的主高频电源；

为所述的真空反应容器所述的内部提供多种加工气体的部件；

一个置于所述的真空反应容器内的与所述的电介质部分相对的、且其上可固定所加工样品的低电极；

一个借助调谐机制向所述的低电极提供高频电压的次高频电源；

并具有电磁波传导功能；其特征在于：

所述等离子体加工装置还包含：

被埋入到所述的电介质部分之内的传导元件；

一个借助一能够截止电磁波的滤波器向电磁波传导加热元件提供直流电以使得所述传导元件加热所述电介质部分的直流电源；

一种测量所述电介质部分温度的温度测量部件；以及

一个基于通过所述温度测量部件测得的所说温度来控制源于直流电源送往所说电磁传导加热元件的直流电的控制器；

且所述传导元件具有电磁波传导功能。

2、根据权利要求1所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的电磁波传导加热元件是一个金属电阻片，其加热所述电介质部分并具有所述电磁波传导功能。

3、根据权利要求1所述的等离子体加工装置，其特片在于所述的电磁波传导加热元件包括一个能够传导电磁波的金属片及一个加热所述电介质部分的加热片。

4、根据权利要求2所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的金属电阻片内形成有多个电磁波传导狭缝；

5、根据权利要求2所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的金属电阻片内形成有多个电磁波传导狭缝，所述的狭缝以径向的方式排列。

6、根据权利要求2所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的金属电阻片内形成多个电磁波传导狭缝，所述狭缝以同心圆方式排列。

7、根据权利要求3所述的等离子体加工装置，其特征在于至少一个所述的金属电阻片及所述金属片内形成有多个电磁波传导狭缝。

8、根据权利要求3所述的等离子体加工装置，其特征在于至少一个所述的金属电阻片及所述金属片内形成有多个电磁波传导狭缝，所述的狭缝以径向方式排列。

9、根据权利要求3所述的等离子体加工装置，其特征在于至少一个所述的金属电阻片及所述金属片内形成有多个电磁波传导狭缝，所述的狭缝以同心圆方式排列；

10、根据权利要求2所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的金属电阻片有容许电磁波传导的厚度。

11、根据权利要求3所述的等离子体加工装置，其特征在于至少一个所述的金属电阻片及所述金属片有容许电磁波传导的厚度。

12、根据权利要求1所述的等离子体加工装置，其特征在于所述的扁平电线圈是一个螺旋形的线圈。

13.一种等离子体加工装置，其通过向一个放置在所述的真空反应容器外所述的电介质部分相邻的线圈提供高频电流而在真空反应容器内通过电介质部等离子体；其特征在于：

包含一个传导元件，其被埋入到所述电介质部分中，用于加热所述电介质部分。

14.根据权利要求13所述的等离子体加工装置，其特征在于所述传导元件还具有传导电磁波的功能。

15.根据权利要求14所述的等离子体加工装置，其特征在于所述传导元件还包含一个用于加热所述电介质部分并具有传导电磁波功能的的金属电阻片。

16.根据权利要求14所述的等离子体加工装置，其特征在于所述传导元件包含具有传导电磁波功能的金属片和加热所述电介质部分的加热片。