[发明专利]制造半导体器件中的场氧化层的方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件中的场氧化层的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

提供一个硅衬底；

在所述硅衬底上形成一层氧化层；

通过在含氮气体气氛中对所述硅衬底进行热处理，将氮注入所述氧化层，以防止氧沿着所述硅衬底和所述氧化层之间的界面扩散；

暴露所述硅衬底的一场区域；以及

对所述暴露的硅衬底的场区域进行热氧化处理，以形成场氧化层。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述暴露硅衬底的场区域的步骤包括：

在所述氧化层上形成一层氮化物层；

将所述氮化物层和所述氧化层制作图形，暴露出所述硅衬底的场区；

在所述氮化物层和所述氧化层的侧壁上形成氮化物隔离层，并通过对所述硅衬底蚀刻形成一沟槽。

3、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述含氮气体为NH₃气体或NO₂气体或N₂气体。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度为200至700。

5、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的热处理是在800至1100℃的温度下进行的。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的热处理时间为30至120分钟。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述的热处理是在10至100乇的压力下进行的。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的氧化层的厚度为50至500。

9、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氮气体含有N₂气体和大于50％的NH₃气体。

10、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，含氮气体含有N₂气体和大于50％的NO₂气体。