[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器以及使用此传感器的磁记录系统

权利要求书

1.一种自旋阀磁致电阻传感器，包括：

基片；

反铁磁性材料的交换偏磁层，选自氧化镍(Ni_1-xCo_x)O和(Fe-Mn)合金和Cr的集合，其中X是0.0-0.5，交换偏磁层形成在基片上；

叠层的反平行钉扎层，与交换偏磁层相邻，叠层的反平行钉扎层包括与交换偏磁层相邻并反铁磁性地耦合的第一铁磁膜、第二铁磁膜和位于第一和第二铁磁膜之间并与其接触的反平行耦合膜，该耦合膜使第一和第二铁磁膜反铁磁性地耦合在一起，以致它们的磁化相互反平行地排列，当外加磁场存在时第一和第二铁磁膜的磁化保持反平行并被交换偏磁层所钉扎；

非磁性隔离层，与叠层的反平行层的第二铁磁膜相邻；

自由的铁磁性层，与隔离层相邻接触，当不存在外加磁场时其易磁化轴垂直于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜的磁化轴。

2.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于包括位于基片和交换偏磁层之间的籽晶层。

3.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于基片是作为磁致电阻传感器的屏蔽层。

4.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于交换偏磁层由氧化镍构成。

5.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于反平行耦合膜由Ru构成。

6.根据权利要求5的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于Ru膜厚度在2-8的范围。

7.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜由选自Co、Fe、Ni及其合金的集合中的材料制成，叠层的反平行钉扎层中的反平行耦合膜由选自Ru、Cr、Rh、Ir及其合金的集合中的材料制成。

8.根据权利要求7的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜由钴构成。

9.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于叠层的反平行钉扎层的净磁矩为零。

10.根据权利要求1的自旋阀磁致电阻传感器，其特征在于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜具有相同的厚度。

11.一种磁记录盘驱动器，包括：

磁记录盘；

与盘连接的电动机，用于旋转盘；

自旋阀磁致电阻传感器，用于检测对盘上的磁性记录的数据，该传感器包括：

反铁磁性材料的交换偏磁层，选自氧化镍(Ni_1-xCo_x)O和(Fe-Mn)合金和Cr的集合，其中X是0.0-0.5；

叠层的反平行钉扎层，与交换偏磁层相邻，叠层的反平行钉扎层包括与交换偏磁层相邻并反铁磁性地耦合的第一铁磁膜、第二铁磁膜和位于第一和第二铁磁膜之间并与其接触的反平行耦合膜，该耦合膜使第一和第二铁磁膜反铁磁性地耦合在一起，以致它们的磁化相互反平行地排列，当外加磁场存在时第一和第二铁磁膜的磁化保持反平行并被交换偏磁层所钉扎；

非磁性隔离层，与叠层的反平行层的第二铁磁膜相邻；

自由的铁磁性层，与隔离层相邻接触，当不存在外加磁场时其易磁化轴垂直于叠层的反平行钉扎层中的第一和第二铁磁膜的磁化轴；

支承自旋阀磁致电阻传感器的承载体，该承载体具有传感器固定于其上的基片；

执行机构，按为径向横跨盘的方式移动承载体，以使传感器能存取盘上磁性记录的数据的不同区域；

把承载体连接于执行机构的装置，保持承载体靠近盘；

与传感器电耦合的装置，用于探测传感器电阻的变化，此变化是自由铁磁性层的磁化轴响应于来自磁性记录的盘的磁场相对于叠层的反平行钉扎层中的反平行耦合的第一和第二铁磁膜的固定磁化方向的旋转引起的；

支承电动机和执行机构的装置。

12.根据权利要求11的磁盘驱动器，其特征在于包括位于承载体基片和交换偏磁层之间的籽晶层。

13.根据权利要求11的磁盘驱动器，其特征在于基片是作为磁致电阻传感器的屏蔽层，其中交换偏磁层形成在屏蔽上。

14.根据权利要求11的磁盘驱动器，其特征在于交换偏磁层由氧化镍构成。