[发明专利]独石陶瓷电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种独石陶瓷电容器，包括

多层陶瓷材料制成的介质陶瓷层，该陶瓷材料包含主要成分钛酸锶，次要成分氧化铋或铋化合物的氧化物，和还原抑制剂；

多个包含镍或镍合金的廉价金属内电极，

其中还原抑制剂的表示通式是

aMO+bMnO₂+cB₂O₃+(100-a-b-c)SiO₂，

式中M是选自Mg，Sr，Ca和Ba的至少一种；a，b和c的数值用mol％表示成10≤a≤60，5≤b≤20，20≤c≤35，以及

所述还原抑制剂的量是陶瓷材料重量的4至25wt％。

2.按权利要求1的独石陶瓷电容器，其特征是，用mol％表示成35≤a≤55，10≤b≤15，25≤c≤30。

3.按权利要求2的独石陶瓷电容器，其特征是，还原抑制剂的量是陶瓷材料重量的8至20wt％。

4.一种制造权利要求1所述的独石陶瓷电容器的方法，包括以下工艺步骤：

制备介质陶瓷生片：

所述生片上迭放电极材料；

构成带电极材料的陶瓷生片的迭层结构，使相邻的生片不相接，

按10至17℃/分钟的升温速度加热制成的迭层结构，和

在预定温度烧结所述迭层结构；

按10℃/分钟以上的冷却速度冷却烧结过的迭层结构，

其中陶瓷生片包括主要成分钛酸锶，次要成分氧化铋或铋化合物氧化物和添加剂还原抑制剂。

5.按权利要求4的方法，其特征是还原抑制剂的表示通式是：

aMO+bMnO₂+cB₂O₃+(100-a-b-c)SiO₂。

式中M是选自Mg，Sr，Ca和Ba的至少一种；a，b和c用mol％表示为10≤a≤60，5≤b≤20，20≤c≤35。

6.按权利要求5的方法，其特征是，电极材料包含镍或镍合金的廉价金属材料。

7.按权利要求6的方法，其特征是，还原抑制剂的量是陶瓷材料重量的4至25wt％，其中

用mol％表示，35≤a≤55，10≤b≤15，25≤c≤30。

8.按权利要求7的方法，其特征是，还原抑制剂的量是陶瓷材料重量的8至20wt％。