[发明专利]关于分析半导体器件失效的剥层处理方法无效
| 申请号： | 96111009.0 | 申请日： | 1996-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1147146A | 公开（公告）日： | 1997-04-09 |
| 发明（设计）人： | 具政会;金哲弘 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 关于 分析 半导体器件 失效 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种分析半导体器件多晶硅接点断开失效的剥层处理方法，它包括下列步骤：
除掉晶片上的钝化层和双金属层，所说晶片上包含一存储单元；
利用等离子干腐蚀方法，选择地除掉形成电容器的多晶硅和形成位线的多晶硅的上层部分；及
利用含HF的腐蚀剂进行湿腐蚀，以便暴露场氧化层，同时，留位于所述晶片上的形成所述位线的所述多晶硅层和形成电容器存储节点的多晶硅层的下部。
2、分析半导体器件失效的剥层处理方法，其中，所述等离子干腐蚀利用至少包含CF4和O2的气体作为源气体。
3、分析半导体器件失效的剥层处理方法，其中，所述腐蚀剂的所述HF的含量是大约49％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
