[发明专利]包含地址转移检测电路的半导体存储器件

说明书

本发明涉及一种半导体存储器件，尤其涉及一种能进行高速稳定存取操作的半导体存储器件。

在诸如动态半导体存储器件(在下文称作DRAM)或静态半导体存储器件(在下文称作SRAM)的半导体存储器件中，为了在存储单元阵列中指示待存取的存储单元，通常，通过多条地址线由外部施加地址信号。在半导体存储器件的内部，加到地址线上的地址信号被译码以存取相应的存储单元。在这种情况下，一种关于当施加到任意一条地址信号线的一个地址信号转换检测到时，采用一种新的地址信号的方法，可用来作为当地址信号加到地址线上时检测时序的方法。

一种地址转移检测电路(在下文称作ATD电路)被用于上述时序检测。

为了在半导体存储器中实现一种高速列存储操作，有一种类似DRAM的工作模式，即每次列地址被切换，对于一条相应数据线，数据输出一个存储单元信号。在这种模式中，没有外部时钟用来同步地址信号，因此补充的装置是有必要的。上述的ATD电路就被用于这种情况。为了提高这种模式的速度，提高作为将数据读到外部信号线的I/O线的信号传输速度是很重要的。这是由于I/O线的寄生电容通常是高的，它构成了一个控制数据读取速度的因素。

为了提高上述速度，有必要在I/O线上快速地读取存储单元信号，即采用一种能高速地减小和放大I/O线上信号电压幅度的主放大器。为此，它能够在外部输入地址切换以及相应切换地址的数据线被选择之前，快速地检测地址切换。在这种情况下，当把这种检测信号看成为一种内部时钟并且等待数据线选择的时候，预先对I/O线进行预充电的操作是可行的。例如，I/O线预充电压可以选择在相应于二进制信息电压的中间值。于是，不必要特别地把保存在I/O线上预先选择和输出的信息电压反相，就可使随后选择的数据线从中间值进行充电/放电，由此可以进行高速度的工作。

低摆幅高速主放大器通常由电流镜放大器形成，该放大器经常不利地载有电流。当采用ATD电路时，有可能通过检测信号使主放大器仅在需要放大的短时间区内进入开状态，使主放大器在保持时间内进入关状态。换句话说，可以实现具有低功耗的高速主放大器。

正如前面所描述的，在半导体存储器件中ATD电路对于提高与列相联系的电路的工作性能是很重要的。

图9示出了一种典型的常规ATD电路2000。在该例中，为了简化说明，假定地址信号由三位组成并且相应的地址线数是3。

参阅图9，常规ATD电路2000包括：分别接收地址信号A1、A2和A3电压的信号转换检测电路200、202和204，分别从信号转换检测电路200、202和204接收相应互补输出信号Bn和Cn(n＝1，2和3)的单触发脉冲产生电路210、212和214，以及接收单触发脉冲产生电路210-214的输出并根据所有输出脉冲信号的启动输出地址转移检测信号(ATD信号)的波形合成/整形电路220。

当输入地址信号An(n＝1，2和3)从高电平转换到低电平或相反情况时，信号转换检测电路200-204检测变化并使具有互补的输出信号Bn和Cn反相。假定地址信号An转换后，信号Bn和Cn如此转换以至于在信号Bn和Cn反相时刻之间有恒定的时间差T。

单触发脉冲产生电路210-214接收前面所述的互补时间差信号Bn和Cn，并产生单触发脉冲信号Dn(n＝1，2和3)。波形合成/整形电路220接收单触发脉冲信号Dn，将其合成并把合成信号的脉冲宽度整形成常值，然后将其输出。

从前面所述的波形合成/整形电路220输出ATD信号。当地址信号A1，A2和A3的电平至少有一个被转换时，就在相应处产生单触发脉冲。

图10是表示常规ATD电路2000中的单触发脉冲产生电路210-214以及波形合成/整形电路200的典型结构的电路图。

参看图10，单触发脉冲产生电路210可以是包括接收相应互补时间差信号B1和C1的与电路240，以及接收与电路240的输出并输出反相信号的反相电路242。除了其各自接收相应互补差信号B2、C2和B3、C3外保持单触发脉冲产生电路212和214在结构上类似于单触发脉冲产生电路210。