[发明专利]在数据存储元件中读和再存储数据的方法无效

专利信息
申请号: 96111414.2 申请日: 1996-08-23
公开(公告)号: CN1157458A 公开(公告)日: 1997-08-20
发明(设计)人: 吉德·D·泰 申请(专利权)人: 摩托罗拉公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陆立英
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储 元件 方法
【权利要求书】:

1.一种在数据存储组件(10)中读和恢复数据的方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供具有一个开关(11)和一个具有极性保持的电容器(12),其中该开关(11)具有一个控制电极,用于耦合接收控制信号,一个第一电流导通电极,用于经具有极性保持的电容器耦合接收恢复的信号,和一个第二电流导通电极,用于耦合发送数据;

提供数据存储组件(10)的数据;

开关(11)置于不导通状态;

经具有极化保持的电容器(12)把第一恢复信号施加到开关(11)的第一电流导通电极上;

把充电电压施加到开关(11)的第二电流导通电极上;

除掉加到开关(11)的第二电流导通电极的充电电压;

开关(11)置于导通状态;

响应在开关(11)的第二当前导通电极上的电压,施加数据值电压到开关(11)的第二当前导通的电极,以便从数据存储组件(10)读数据;

经过具有极化保持(12)的电容把第二恢复信号施加到开关(11)的第一当前导通电极上;和

开关(11)置于不导通状态,以便在数据存储组件(10)中恢复数据。

2.根据权利要求1的方法,其特征在于,提供数据存储组件(10)的数据的步骤包括以下步骤:

经具有极化保持的电容器(12)把第一恢复信号施加到开关(11)的第一当前导通电极;

把数据存储电压施加到开关(11)的第二当前导通电极上;和

开关(11)置于不导通状态,以便在数据存储组件(10)中存储数据。

3.一种在铁电存储器组件(10)中读和恢复数据的方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供铁电存储器组件(10),该铁电存储器组件(10)具有一个字线(14)、一个板线(15)、一个比特线(16)、一个场效应晶体管(11)和一个铁电电容器(12),其中场效应晶体管(11)具有一个栅极,连接到字线(14)上,一个源极,经铁电电容器(12)连接到板线(15)上,和一个漏极,连接到比特线(16);

把数据写到铁电存储器组件(10)中,

场效应晶体管(11)置于不导通状态;

把第一恢复信号施加到板线(15)上;

充电比特线(16);

场效应晶体管(11)置于导通状态;

响应于比特线(16)上的电位,把数据值电压施加到比特线(16)上,以便从铁电存储器组件(10)读数据;

把第二恢复信号施加到板线(15)上;和

场效应晶体管(11)置于不导通状态,以便在铁电存储器组件(10)中恢复数据。

4.根据权利要求3的方法,其特征在于,施加第一恢复信号的步骤包括把地电压施加到板线(15)上的步骤。

5.根据权利要求3的方法,其特征在于,施加第二恢复信号的步骤包括把电源电压施加到板线(15)上的步骤。

6.根据权利要求3的方法,其特征在于,充电比特线(16)的步骤包括以下步骤:

把充电电压施加到比特线(16)上;和

除掉施加到比特线(16)的充电电压。

7.根据权利要求3的方法,其特征在于,响应比特线(16)的电位,把数据值电压施加到比特线(16)上的步骤包括以下步骤:

提供预定的基准电位;

响应低于预定基准电位的比特线(16)上的电位,把地电压施加到比特线(16)上;和

响应高于预定基准电位的比特线(16)上的电位,把电源电压施加到比特线(16)上。

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