[发明专利]电子发射器件、电子源和图像形成装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子发射器件(1-7)，包括：

一对相对设置的器件电极(2，3)；

一与所述器件电极电气连接的导电膜(4)，该导电膜的一部分形成电子发射区(5)；以及

位于所述电子发射区(5)上及周围的淀积层(7)，该淀积层包含碳、碳化物或其他混合物；

其特征在于，

全部或至少大部分覆盖所述器件电极之间的所述导电膜区域的金属氧化物涂层(6)，所述金属氧化物涂层的主要成分为金属氧化物，该金属氧化物的熔点高于所述导电膜的主要成分材料的熔点。

2.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层是在所述导电膜上形成的，其厚度不小于1nm并不大于20nm。

3.按权利要求2的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层的厚度不小于3.5nm和不大于10nm。

4.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层至少包含在所述导电膜材料的空隙中，金属元素的摩尔含量在10mol％至50mol％之间。

5.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层的金属氧化物的主要成分具有的功函数低于所述导电膜的主要成分材料的功函数。

6.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物产生1.3×10^-3Pa的汽化压力的温度高于所述导电膜的主要成分材料产生相同汽化压力时的温度。

7.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物是选自Be、Mg、Sr、Ba、Y、La、Th、Ti、Zr、Hf、W、Fe和Al的至少一种金属的氧化物。

8.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层包括金属元素的摩尔比不大于50mol％的所述金属的碳酸盐。    

9.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述金属氧化物涂层完全覆盖所述导电膜。

10.按权利要求1的电子发射器件，其特征是，所述导电膜具有包含所述电子发射区的第一间隙，在该第一间隙中安排有所述淀积层，以形成比第一间隙窄并与所述导电膜相连的第二间隙。

11.一种电子源，包括排列在衬底(1)上的多个按权利要求1至10中任一项的电子发射器件(104)，连接器件的导线(102，103)和驱动电子发射器件的装置(202-207)。

12.按权利要求11的电子源，其特征是，在衬底上以一行或多于一行的方式排列所述多个电子发射器件。

13.按权利要求12的电子源，其特征是，它包括具有矩阵布线排列(D_x1-D_xm，D_y1-D_ym)多行电子发射器件。

14.按权利要求12的电子源，其特征是，它包括具有阶梯布线排列(D1-D10)的多行电子发射器件。

15.一种图像形成装置(201)，它包括按权利要求11的电子源和包含在真空室内(118)的图像形成元件(116)。

16.按权利要求15的图像形成装置，其特征是，所述图像形成元件是荧光体。

17.一种制造权利要求1至10的任一项的电子发射器件的方法，包括以下工艺步骤：

提供具有所述一对相对设置的器件电极(2，3)和与所述器件电极电气连接的所述导电膜(4)的衬底(1)：

给所述导电膜加金属醇盐溶液；和

热解所述金属醇盐，制造所述金属氧化物涂层。

18.按权利要求17的方法，其特征是，所述金属醇盐包含烷基，异丙基，仲丁基或叔丁基。

19.按权利要求11的方法，其特征是，所述金属醇盐包括选自Be，Mg，Sr，Ba，Y，La，Th，Ti，Zr，Hf，W，Fe和Al中的一种金属。