[发明专利]曝光方法和曝光设备

权利要求书

1.一种曝光方法，利用专门的曝光对半导体片上的光致抗蚀剂膜进行曝光，其特征在于，该方法包括下列步骤：

(a)在第1半导体片上形成第1光致抗蚀剂膜；

(b)把曝光照射到所述第1光致抗蚀剂膜上；

(c)在曝光开始时，测量由所述第1半导体片上的基底材料反射的反射光强；

(d)测量所述第1光致抗蚀剂膜和所述第1半导体片的最佳曝光时间；

(e)在存储器中存储所述最佳曝光时间数据；

(f)在第2半导体片上形成第2光致抗蚀剂膜；

(g)利用所述步骤(b)的曝光，照射到所述第2光致抗蚀剂膜上；

(h)在曝光开始时，测量由所述第2半导体片上的基底材料反射的反射光强；

(i)读出所述存储器中存储的所述最佳曝光时间数据；和

(j)根据读出的所述最佳曝光时间数据，确定所述第2光致抗蚀剂膜和所述的第2半导体片的曝光时间。

2.按照权利要求1的曝光方法，其特征在于，用每单位时间的曝光能量代替开始曝光时所述反射光的所述光强。

3.按照权利要求1的曝光方法，其特征在于，还包括下述步骤，在开始曝光所述第1光致抗蚀剂膜时，根据所述掩模″图形比率″校正所述反射光的所述光强。

4.按照权利要求2的曝光方法，其特征在于，还包括下述步骤，在开始曝光所述第1光致抗蚀剂膜时，根据所述掩模″图形比率″校正所述反射光的光强。

5.一种曝光设备，包括：

产生曝光的光源；

放置半导体片的载片台；

向所述载片台开关所述曝光的通路的快门；

把所述曝光照射到所述半导体片上的光致抗蚀剂膜上的透镜系统；

用于检测由所述光致抗蚀剂膜基底材料反射所述曝光的反射光并输出一控制信号的检测器；和

响应该控制信号以控制快门开关的快门控制器；其特征在于还设有：

处理器，用于由检测器获得的所述反射光的光强数据计算最佳曝光时间，还用于存储所计算的光强数据，以及用于输出所述控制信号到所述快门控制器，以便在开始曝光时打开快门，并根据所计算的最佳曝光时间关闭快门。

6.按照权利要求5的曝光设备，其特征在于，还包括一个图形识别器，用于识别所述掩模上的图形，然后输出校正信号到所述的处理器。