[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

权利要求书

1、一种具有电容器的半导体存储器件包括：

一基片；

一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，

该存储电容器包括

一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出，

至少一类树干枝状导电层，具有一L形的剖面，该类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的外表面上，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，

一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层暴露出的表面上，以及

一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

2、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该存储电容器包括二个大致平行的类树枝状导电层，每一个均具有一L形的剖面，且其一末端均连接在该类树枝杆状导电层的外表面上。

3、如权利要求2所述的半导体存储器件，其中该二个类树枝状导电层的另一自由末端不位于同一平面。

4、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该存储电容器还包括一第二导电层，其具有一末端连接在该类树干状导电层的外表面上、以及一往外延伸部，以一大致水平的方向，从该末端往外延伸出。

5、如权利要求4所述的半导体存储器件，其中该第二导电层位于该类树枝状导电层的下方。

6、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层包括一电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上的下树杆部，具有一T形的剖面；以及一从该下树杆部的上表面延伸出的上树杆部。

7、如权利要求6所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层的该末端被连接在该上树杆部的外表面上。

8、如权利要求6所述的半导体存储器件，其中该上树杆部具有一U形的剖面。

9、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层具有一U形的剖面。

10、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层具有一双L形的剖面。

11、一种具有电容器的半导体存储器件包括：

一基底

一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，

该存储电容器包括

一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出，

至少一类树枝状导电层，包括至少一第一延伸段和一第二延伸段，该第一延伸段的一末端连接在该类树干状导电层的外表面上，该第二延伸段以一角度，从该第一延伸段的另一末端延伸出，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，

一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层暴露出的表面上，以及

一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

12、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层还包括一第三延伸段，以一第二角度从该第二延伸段延伸出。

13、如权利要求12所述的半导体存储器件，其中该第一延伸段和第三延伸段均是大致以一水平方向延伸，而该第二延伸段则大致以一垂直方向延伸。

14、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该存储电容器包括二个大致平行的类树枝状导电层，每一个类树枝状导电层的一末端均连接在该类树干状导电层的外表面上。

15、如权利要求14所述的半导体存储器件，其中该二个类树枝状导电层的第二延伸段的自由末端是不在同一平面。

16、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该存储电容器还包括一第二导电层，其末端连接在该类树干状导电层的外表面上、以及一往外延伸段，以一大致水平的方向，从该末端往外延伸出。