[发明专利]具有电容器的半导体存储器件

权利要求书

1、一种具有电容器的半导体存储器件包括：

一基片；

一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，该存储电容器包括

一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从底部延伸出，

至少一类树枝状导电层，具有一似L形的剖面，类树枝状导电层的一末端连接在该类树干状导电层的内表面上，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成存该储电容器的一存储电极，

一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层曝露出的表面上；以及

一上导电层，形成在介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

2、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层包括一下树干部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，且具有一似T形的剖面；以及一上树干部从该下树干部的周边大致向上延伸出。

3、如权利要求2所述的半导体存储器件，其中该上树干部大致为中空筒状。

4、如权利要求3所述的半导体存储器件，其中该上树干部的水平剖面大致为圆形。

5、如权利要求3所述的半导体存储器件，其中该类树干部的水平剖面大致为矩形。

6、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层的该末端连接在该上树干部的内表面上。

7、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该存储电容器包括二个大致平行的类树枝状导电层，每一个均具有一似L形的剖面，且其一末端均连接在该类树干状导电层的内表面上。

8、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层包括一下树干部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，且具有一似U形的剖面；以及一上树干部从该下树干部的周边大致向上延伸出。

9、如权利要求8所述的半导体存储器件，其中该上树干部大致为中空筒状。

10、如权利要求1所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层具有一似双L形的剖面。

11、一种具有电容器的半导体存储器件包括：

一基片；

一转移晶体管，形成在该基片上，并包括漏极和源极区；以及

一存储电容器，电连接到该转移晶体管的漏极和源极区之一上，存储电容器还包括

一类树干状导电层，具有一底部，电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，该类树干状导电层又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，从该底部延伸出，

至少一类树枝状导电层，包括至少一第一延伸段和一第二延伸段，该第一延伸段的一末端连接在该类树干状导电层的内表面上，该第二延伸段以一角度，从该第一延伸段的另一末端延伸出，该类树干状导电层和类树枝状导电层构成该存储电容器的一存储电极，

一介电层，形成在该类树干状导电层和类树枝状导电层曝露出的表面上；以及

一上导电层，形成在该介电层上，以构成该存储电容器的一相对电极。

12、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层包括一下树干部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，且具有一似T形的剖面；以及一上树干部从该下树干部的周边大致向上延伸出。

13、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该上树干部大致为中空筒状。

14、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层的该末端是连接在该上树干部的内表面上。

15、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该类树枝状导电层还包括一第三延伸段，以一第二角度从该第二延伸段延伸出。

16、如权利要求15所述的半导体存储器件，其中该第一延伸段和第三延伸均是大致以一水平方向延伸，而该第二延伸段则大致以一垂直方向延伸。

17、如权利要求11所述的半导体存储器件，其中该类树干状导电层包括一下树干部电连接到该转移晶体管的该漏极和源极区之一上，且具有一似U形的剖面；以及一上树干部从该下树干部的周边大致向上延伸出。