[发明专利]离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法无效
申请号: | 96112929.8 | 申请日: | 1996-09-16 |
公开(公告)号: | CN1159074A | 公开(公告)日: | 1997-09-10 |
发明(设计)人: | 吴相根;文常营;金定坤;金度亨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 采用 方法 | ||
1.一种离子注入机,包括:
离子分离器;
质量分析器,用于偏转由所述的离子分离器导入的离子,无论离子的带电状态如何,它都能按照预定方向偏转离子;以及
极性转换器,用于按照所述离子的带电状态改变所述质量分析器中磁场的通量方向。
2.如权利要求1所述的离子注入机,其中,所述极性转换器具有改变流经电磁铁的电流方向的装置,该电磁铁在所述的质量分析器中产生磁场。
3.如权利要求2所述的离子注入机,其中所述装置是继电器。
4.如权利要求2所述的离子注入机,其中所述装置是电动机。
5.一种离子注入方法,包括如下步骤:
(a)产生粒子;
(b)无论所述粒子带电状态如何,按照预定方向偏转所述离子;以及
(c)加速并聚焦所述被偏转的离子。
6.如权利要求5所述的离子注入方法,其中,所述步骤(b)采用了质量分析器,它具有用于按照所述离子的带电状态改变磁场通量方向的装置。
7.如权利要求6所述的离子注入方法,其中,所述装置是具有电动机的极性转换器,该电动机是作为改变流经电磁铁的电流方向的主要装置,电磁铁用来在所述质量分析器中产生磁场。
8.如权利要求6中所述的离子注入方法,其中,所述主要装置是继电器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造