[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种由一对主表面、至少一个位于主表面之间的pn结、在一个主表面上形成第一主电极、在另一个主表面上形成的第二主电极构成的半导体器件，包含

密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大的晶格缺陷。

2.一种按权利要求1的半导体器件，在为维持额定电压而形成的耗尽区之外的位置处存在晶格缺陷密度的一个最大值。

3.一种由一个第一导电型的第一发射极层、一个与第一发射极层相邻的第二导电型的第一基极层、一个与第一基极层相邻的第一导电型的第二基极层、一个与第二基极层相邻的第二导电型的第二发射极层、一个在第一发射极层形成的第一主电极和一个在第二发射极层形成的第二主电极构成的半导体器件，包含

密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大的晶格缺陷。

4.一种按权利要求3的半导体器件，位于耗尽区之外存在晶格缺陷密度的一个最大值，该耗尽区在所述第二基极层和所述第二发射极层之间形成而得以维持额定电压。

5.一种按权利要求3的半导体器件，其载流子寿命从第一主电极到第二主电极方向减小。

6.一种由一个第一导电型的第一发射极层、一个与第一发射极层相邻的第二导电型的第一基极层、一个与第一基极层相邻的第一导电型的第二基极层、一个与第二基极层相邻的第二导电型的第二发射极层、在第一发射极层形成的第一主电极和在第二发射极层形成的第二主电极构成的半导体器件，包含

从第二主电极到第一主电极方向减小的载流子寿命。

7.一种由一个第一导电型的第一发射极层、一个与第一发射极层相邻的第二导电型的第一基极层、一个与第一基极层相邻的第一导电型的第二基极层、一个与第二基极层相邻的第二导电型的第二发射极层、在第一发射极层形成的第一主电极和一个在第二发射极层形成的第二主电极构成的半导体器件，包括

一个在第二发射极层内的第一区，在所述第一区内的寿命比第二发射极层内其他区域的要短；以及

一个在第二基极层内的第二区，在所述第二基极层的寿命比第二基区层内其他区域的要短；其中

第一区的寿命比第二区的寿命更短。

8.按权利要求7的半导体器件，其中所述第一区在耗尽层外形成，该耗尽层是当所述半导体器件外加额定电压时在第二发射极层内形成的。

9.按权利要求7的半导体器件，其中所述第二基极层内的第二区从所述第二基极层中心开始在所述第二发射区一边形成。

10.按权利要求7的半导体器件，其中所述寿命通过在半导体层中引入晶格缺陷来控制。

11.按权利要求10的半导体器件，其中在所述第一区中的晶格缺陷总量比所述第二区中的晶格缺陷总量要大1-10倍。

12.一种由一个第一导电型的第一发射极层、一个与第一发射极层相邻的第二导电型的第一基极层、一个与第一基极层相邻的第一导电型的第二基极层、一个与第二基极层相邻的第二导电型的第二发射极层、在第一发射极层上形成的第一主电极和在第二发射极层上形成的第二主电极构成的半导体器件，包括

一个从第二发射极层向第一发射极层方向扩展的区域，该区中的寿命沿同一方向逐渐而连续地增大。

13.按权利要求12的半导体器件，其中所述寿命逐渐而连续增大的所述区域从所述第二基极层的中心开始在所述第二发射极层一边的位置处形成。

14.按权利要求12的半导体器件，其中在所述寿命逐渐而连续增大的区域中的第二发射层部分的寿命短于所述区域中第二基极层部分的寿命。

15.按权利要求12的半导体器件，其中所述寿命通过在半导体中引进晶格缺陷来控制。

16.按权利要求15的半导体器件，其中所述寿命逐渐而连续增大的区域中的晶格缺陷最大值的位置，处在当所述半导体器件外加额定电压时在第二发射极层形成的耗尽区之外。