[发明专利]成像设备和成像方法

权利要求书

1.一种成像设备，用于通过对包括一圆柱形多极磁体和由磁粉在该圆柱形多极磁体圆周表面形成的刷层的充电元件施加电压，并通过反向运动用该刷层表面和充电体表面磨擦对其充电，而在充电体表面形成静电潜像，其中所述的充电体是在一个导电支持体上的一个感光元件，该感光元件具有一个光导层，该光导层包括一种非单晶材料，该非单晶材料包含作为基质的硅原子和氢和/或卤原子，所述的光导层含氢的量为10到30原子％，Si-H₂/Si-H的比为0.2到0.5，态密度为1×10¹⁴cm^-3到1×10¹⁶cm^-3，至少在光引入部分的次能带光吸收谱所导出的指数曲线拖尾的特征能为从50到60meV，且表面电阻率是1×10¹⁰到5×10¹⁵Ωcm；多极磁体的磁力不低于500G；磁粉的电阻率为1×10⁴到1×10⁹Ωcm和颗粒直径是10到50μm；刷层和充电体上的一点的接触时间不短于10毫秒；充电元件和充电体的相对运动速度的关系(a-b)/a×100％不小于110％，其中a是充电体的运动速度，b是充电元件的运动速度，且充电体的旋转方向定为正向。

2.如权利要求1所述的成像设备，其中该设备有一光学消除电荷装置以从充电体上除去电荷。

3.如权利要求1所述的成像设备，其中所述的感光元件有一表面层。

4.如权利要求1所述的成像设备，其中所述的感光元件有一电荷注入阻挡层。

5.如权利要求1所述的成像设备，其中感光元件具有在光导层的靠近支持体一侧上的一个电荷注入阻挡层和在光导层的远离支持体的一侧上的一个表面层。

6.如权利要求1所述的成像设备，其中充电元件有一控制磁刷厚度的元件。

7.如权利要求1所述的成像设备，其中配有一间隔垫片来控制充电元件和充电体之间的间隙。

8.如权利要求1所述的成像设备，其中磁力不小于1000G。

9.如权利要求1所述的成像设备，其中表面电阻率的范围从1×10¹⁰到1×10¹⁵Ωcm。

10.一种成像方法，用于通过对包括一圆柱形多极磁体和由磁粉在多极磁体圆周表面上形成刷层的充电元件施加电压，通过反向运动磨擦充电体表面和刷层表面对充电体表面充电，并成像照射充电体表面以在其上形成一静电潜像，而在充电体的该表面上形成静电潜像，其中充电体是在一个导电支持体上的一个感光元件，该感光元件具有一个光导层，该光导层包括一种非单晶材料，该非单晶材料包含作为基质的硅原子和/或卤原子；所述光导层含氢的量为10到30原子％，Si-H₂/Si-H的比值范围为0.2到0.5，态密度是1×10¹⁴cm^-3到1×10¹⁶cm^-3，且至少光引入区的次能带光吸收谱所导出的指数曲线拖尾特征能的范围为50到60meV；表面电阻率为1×10¹⁰到5×10¹⁵Ωcm；多极磁体的磁力不低于500G；磁粉电阻率为1×10⁴到1×10⁹Ωcm而颗粒直径是10到50μm；刷层和充电体上的一点的接触时间不短于10毫秒；充电元件和充电体的相对运动速度关系(a-b)/a×100％不少于110％，其中a是充电体的运动速度，b是充电元件的运动速度，充电体的旋转方向定为正向。