[发明专利]单片表面声波双工器无效
申请号: | 96114052.6 | 申请日: | 1996-12-31 |
公开(公告)号: | CN1165431A | 公开(公告)日: | 1997-11-19 |
发明(设计)人: | 李奭镐 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H9/00 | 分类号: | H03H9/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片 表面 声波 双工器 | ||
1.一种单片SAW双工器,包括:
一个压电基底;
在所述压电基底上形成为SAW装置的发射和接收谐振器;
一个允许一发射滤波器的一个频带的信号通过,以便向一个天线输出信号的微带线;和
一个形成为一个SAW装置的,用于允许一个接收频带的信号通过,以便在所述接收谐振器接收到所述发送信号之前消除该发送信号的发送信号消除滤波器。
2.如权利要求1所述的单片SAW双工器,其中一个接地图形放置在所述发射谐振器和所述接收谐振器之间。
3.如权利要求1所述的单片SAW双工器,其中所述发送信号消除滤波器连接于所述输入/输出结合区,并且包括:一个用于从所述天线接收信号的输入变换器阵列;和一个用于向所述接收谐振器输出接收信号的输出变换器阵列。
4.如权利要求1所述的单片SAW双工器,其中所述微带线具有一种几何结构,以便作为一个使一个发送频率的信号便于通过的滤波器使用。
5.如权利要求2所述的单片SAW双工器,其中在所述接地图形上安装有吸音部件。
6.如权利要求5所述的单片SAW双工器,其中所述吸音部件是一种聚合物的合成树脂。
7.如权利要求6所述的单片SAW双工器,其中所述聚合物合成树脂的厚度为20-30μm。
8.如权利要求6所述的单片SAW双工器,其中所述聚合物合成树脂被涂覆在没有侵入到反射器阵列的区域以及所述发射谐振器和所述接收谐振器的作用区域的范围中。
9.一种单片SAW双工器,包括:
一个压电基底;
在所述压电基底上形成为SAW装置的发射和接收谐振器;
用于允许所述发射谐振器的一个频带的信号通过的,以便向一个天线输出信号的微带线;
一个形成为一个SAW装置,用于允许一个接收频带的信号通过以便在所述接收谐振器接收到所述发送信号之前消除该发送信号的发送信号消除滤波器;和
一个安装在所述发射谐振器和所述接收谐振器之间的,用于消除在它们之间传播的表面声波的吸音部件。
10.如权利要求9所述的单片SAW双工器,其中所述发射和接收谐振器包括一对反射器阵列,和安装在所述反射器阵列对之间的输入和输出变换器阵列。
11.如权利要求9所述的单片SAW双工器,其中所述微带线具有一种几何结构,以便作为一个使一个发送频率的信号便于通过的滤波器使用。
12.如权利要求9所述的单片SAW双工器,其中所述吸音部件是一种聚合物的合成树脂。
13.如权利要求12所述的单片SAW双工器,其中所述聚合物合成树脂的厚度为20-30μm。
14.如权利要求12所述的单片SAW双工器,其中所述聚合物合成树脂被涂覆在没有侵入到反射器阵列的区域以及所述发射谐振器和所述接收谐振器的作用区域的范围中。
15.一种单片SAW双工器,包括:
一个压电基底;
在所述压电基底上形成为SAW装置的发射和接收谐振器;
用于允许所述发射谐振器的一个频带的信号通过的,以便向一个天线输出信号的带状传输线;
一个形成为一个SAW装置,用于允许一个接收频带的信号通过以便在所述接收谐振器接收所述发送之前消除该发送信号的发送信号消除滤波器;和
一个形成于所述发射谐振器和所述接收谐振器之间,用于消除在它们之间传播的表面声波的槽。
16.如权利要求12所述的单片SAW双工器,其中所述槽是用一个氩离子枪形成的。
17.一种单片SAW双工器,包括:
一个包括多个发射结合区的发射结合区部分;
一个包括多个形成为SAW装置的并且具有不同的频率特性的发射谐振器的发射谐振器部分;
一个包括多个形成为SAW装置的并且具有不同的频率特性的微带的微带线部分;
一个连接于多个所述微带线的,用于把它们的信号输送到一个天线ANT并且输出所述天线ANT的信号的输入/输出结合区;
一个形成为SAW装置的,用于接收所述输入/输出结合区的输出信号,以便仅允许一个接收频带的信号通过的带通滤波器;
一个包括多个用于接收所述带通滤波器的输出信号,以便仅输出相应于有关频率特性的信号的接收谐振器的接收谐振器部分;和
一个包括分别连接于所述接收谐振器部分的多个所述接收谐振器的多个接收结合区的,用于向一个接收部分的一个放大器输出信号的接收结合区部分,其中上述组件形成在一个单一的压电基底上。
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