[发明专利]干法加工气体无效
| 申请号： | 96114403.3 | 申请日： | 1996-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1157860A | 公开（公告）日： | 1997-08-27 |
| 发明（设计）人： | 岩森晓;野崎正平;福田伸;中岛康甫;福田信弘 | 申请（专利权）人： | 三井东压化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加工 气体 | ||
1.含CF3I作为一种成分的干法加工气体。
2.含CF3I作为一种成分并适用于浸蚀导电氧化物的浸蚀气体，其中按照权利要求1的干法加工是一种浸蚀工艺。
3.按照权利要求2的浸蚀气体，其中CF3I的水分含量为100ppm或更低。
4.按照权利要求2的浸蚀气体，其中气体进一步包括一种还原成分。
5.按照权利要求4的浸蚀气体，其中还原气体是氢气。
6.按照权利要求2的浸蚀气体，其中气体进一步包括氟气和/或三氟化氮气体。
7.一种干法浸蚀方法，用按照权利要求1-6之一的浸蚀气体在氩和/或氧存在下浸蚀氧化物。
8.按照权利要求7的干法浸蚀，方法其中氧化物是选自SnO2，ITO和ZnO的导电氧化物。
9.按照权利要求7的干法浸蚀方法，其中通过将按照权利要求2-6之一的含CF3I的浸蚀气体加入干法浸蚀设备中，并通过诱导排出进行浸蚀，上述于法浸蚀设备内装有由导电氧化物组成的浸蚀目标材料，所述设备至少配有抽气装置，电功率应用装置，浸蚀目标材料加入装置，浸蚀目标材料固定装置和浸蚀目标材料排出装置。
10.含有CF3I作为一种成分的净化气体，其中按照权利要求1的干法工艺是净化工艺。
11.按照权利要求10的净化气体，其中CF3I的水分含量为100ppm或更低。
12.一种干式净化方法，包括通过将权利要求10或11的含CF3I作为一种成分的净化气体加入要净化的设备并诱导排出进行净化，所述设备至少配有抽气装置和电功率应用装置。
13.按照权利要求12的干式净化方法，其中要净化的设备是干式浸蚀设备，真空沉积设备，等离子体CVD设备或喷镀设备。
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