[发明专利]带有多个子模件的功率半导体模件无效
申请号: | 96114595.1 | 申请日: | 1996-11-22 |
公开(公告)号: | CN1161572A | 公开(公告)日: | 1997-10-08 |
发明(设计)人: | R·贝耶勒 | 申请(专利权)人: | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,萧掬昌 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 个子 模件 功率 半导体 | ||
1.一种带有多个子模件(10,37a-c)的功率半导体模件(34),这些子模件并排安装在一个共同的底板(35)上,其功率侧通过感应小的平板形导体相互电连接,并且与外面电连接,其特征在于:这些平板形导体(40,43)各自在高于子模件(10,37a-c)的平面上单端固定地安装,这些平面相互间由子模件(10,37a-c)分隔开,并且具有足够的电绝缘垂直间距,平板形导体(40,43)通过附加的竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)与各个子模件(10,37a-c)实现电连接。
2.根据权利要求1的功率半导体模件,其特征在于,所述竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)由多次最好为直角弯曲的带钢制成。
3.根据权利要求2的功率半导体模件,其特征在于,这些竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)是这样弯曲的,它能够补偿平行于底板(35)平面的子模件(10,37a-c)或底板(35)的有条件的热膨胀。
4.根据权利要求2和3之一的功率半导体模件,其特征在于,这些竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)是与平板形导体(40,43)和子模件(10,37a-c)焊接在一起的。
5.根据权利要求1-4之一的功率半导体模件,其特征在于,平板形导体(40,43)的中间部分带有冲孔(41a-c),竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)从孔中穿出延伸到对面的平板形导体(43)上,用于连接子模件(10,37a-c)。
6.根据权利要求1-5之一的功率半导体模件,其特征在于,子模件(10,37a-c)与有关的平板形导体(40,43)和竖立的线路元件(31,38a,b,42a-c)安装在一个壳体内,并且用绝缘物质进行浇铸。
7.根据权利要求1-6之一的功率半导体模件,其特征在于,子模件(10,37a-c)密封包装在底板(35)上。
8.根据权利要求1-7之一的功率半导体模件,其特征在于,每个子模件(10,37a-c)具有一个最好由陶瓷制成的绝缘基片(11),在其上表面带有一个金属涂层(12),并且在该金属涂层(12)上装有多个功率半导体芯片(13,14,15,16),在它们的下侧与金属涂层(12)实现电连接。
9.根据权利要求8所述的功率半导体模件,其特征在于,一个子模件(10,37a-c)的功率半导体芯片(13,14,15,16)中的至少两个是由栅极(21,22)控制工作的,栅极(21,22)连接到一个共同的栅块或栅极操作板(25)上,后者安装在基片(11,12)上的功率半导体芯片(13,14,15,16)之间,并且与外面电连接。
10.根据权利要求9所述的功率半导体模件,其特征在于,栅极(21,22)与栅块或栅极操作板(25)的连接是通过安装在栅块或栅极操作板(25)上的单个栅极电阻(28,29)实现的。
11.根据权利要求9和10之一所述的功率半导体模件,其特征在于,由栅极(21,22)控制的功率半导体芯片(13,16)作为IGBT构成(绝缘栅极双向场效应晶体管),其余的功率半导体芯片(14,15)作为二极管构成。
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