[发明专利]采用多弧离子镀制备合金涂层的方法

权利要求书

1.一种采用多弧离子镀制备合金涂层的方法，包括：(1).合金涂层的确定；(2).工件的确定并作镀前处理；(3).合金靶成分的确定，制造合金靶；(4).将工件置于镀膜室工件架上，将合金靶对称置于阴极弧源位置上，工件与合金靶表面距离应大于10厘米；(5).对镀膜室抽真空，通入适量氩气，对工件表面进行轰击清洗；(6).选择工件负偏压，选择是否通入反应气体；(7).镀膜；(8).待镀膜结束，降温后取出工件。

所说的合金靶成分确定，是根据下面的公式确定合金靶的化学成分： a i ( 0 ) = a i / α i Σ i = 1 n ( a i / α i ) × 100 % ]]>式中：i从1取到n为正整数，对合金涂层的制备，n为涂层中包含合金元素的个数，对合金反应涂层的制备，n为合金反应元素的个数；a_i为第i种元素在合金涂层中所要求的百分含量，或在合金反应涂层中，该元素占合金元素总量的百分比；a_i^(O)为第i种元素在合金靶中的百分含量；α_i为第i种元素在弧等离子体中的离化率。按上述方式计算得到的a₁^(O)、a₂^(O)、…、a_n^(O)为合金靶各元素所占份额比例，然后按此比例进行合金配料制造合金靶。

2.根据权利要求1所述的多弧离子镀合金涂层的制备方法，其特征是：所说的对合金涂层成分进行微调是指对性能敏感元素含量的微调，对于合金涂层诸元素中离化率较低的性能敏感元素，当用所述方法制备的合金涂层中该元素含量略小于所要求的含量时，则在镀膜时降低工件负偏压50V～100V，当用所述方法制备的合金涂层中该元素含量略大于所要求的含量时，则在镀膜时增大工件负偏压50V～100V；对于合金涂层诸元素中离化率较高的性能敏感元素，当用所述方法制备的合金涂层中该元素含量略小于所要求的含量时，则在镀膜时增大工件负偏压50V～100V，当用所述方法制备的合金涂层中该元素含量略大于所要求的含量时，则在镀膜时降低工件负偏压50V～100V。