[发明专利]非真空下降法多坩埚生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术无效
| 申请号： | 96116387.9 | 申请日： | 1996-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1060542C | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 沈定中;殷之文;邓群;马铭华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 下降 坩埚 生长 碘化 晶体 工艺技术 | ||
【权利要求书】：
1．一种非真空多坩埚下降法生长掺铊碘化铯晶体的方法，包括原料处理、坩埚选择、下降法生长及生长设备和条件的改进，其特征在于：
(1)采用纯度为99．99％的CsI(T1)颗粒预混合料，T1的掺入量以每百克碘化铯400-800ppm，并加入每百克碘化铯为10-500ppm的脱氧剂，在200℃真空中脱OH-；
(2)使用有底铂坩埚装料，可以是单层或双层长方体坩埚或园形坩埚，视生长晶体形状而异，坩埚壁厚介于0．12-0．20mm之间；
(3)生长在大气气氛中进行，且引下装置中冷却棒采用通水冷却方式并可一炉多坩埚同时生长，坩埚数视晶体大小而异，介于5-20个之间；
(4)晶体生长中高温脱氧反应温度为高于熔点50-200℃，反应时间6-8小时，生长温度梯度为35℃／cm，生长速度为1-2．5mm／小时，降温速度为20℃／小时；
(5)使用的脱氧剂可为碘化物(CHI3、C3H5I)；硅酸盐(Na2SiO3、K2SiO3)硼酸盐(Li2B4O7、Na2B2O4)。
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