[发明专利]带有改善磁稳性提供均匀电流的导体几何形状的磁阻器件

权利要求书

1.一种磁阻器件包括：

磁阻层，在其有源区有纵向延伸的易磁化轴；

在所述的磁阻层下面为向该处提供横向偏磁的软邻接层；

介于在所述的磁阻层和所述的软邻接层之间的磁性间隔层；和

第一和第二电流导体与所述的磁阻器件成电连接，上述的第一和第二电流导体被构成为，把电流以相对于所述的易磁化轴小于90°的角度提供给所述的磁阻器件。

2.如权利要求1的磁阻器件进一步包括：

配置在所述的磁阻层的侧旁用于向其提供纵向偏磁的第一和第二纵向偏磁元件。

3.如权利要求2的磁阻器件进一步包括：

介于在所述的第一及第二纵向偏磁元件和所述的磁阻层的相对端面部分之间的第一和第二分隔层。

4.如权利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括介质材料。

5.如权利要求4的磁阻器件其中所述的介质材料是氧化铝。

6.如权利要求3的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括非磁性金属。

7.如权利要求6的磁阻器件其中所述的非磁性金属是Cr。

8.如权利要求1的磁阻器件其中所述的磁阻层包括NiFe。

9.如权利要求1的磁阻器件其中所述的软邻接层包括NiFeMo。

10.如权利要求3的磁阻器件其中所述的磁性隔离层包括Ta。

11.如权利要求2的磁阻器件其中所述的第一和第二纵向偏磁元件包括CoPt、CoPtCr或CoPtTa。

12.如权利要求1的磁阻器件其中所述的第一和第二导体分别包括覆盖在上述的磁阻层上面的第一中间边缘部分和位移在所述的第一中间边缘部分旁侧的第二中间边缘部分。

13.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一和第二导体的所述的第一和第二中间边缘部分是非共线的。

14.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上等于所述的磁阻器件的带条高度。

15.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上为5μ。

16.如权利要求12的磁阻器件其中所述的第一中间边缘部分在长度上大体上大于所述的带条高度的距离位移在所述的第一中间边缘部分的旁侧上。

17.如权利要求16的磁阻器件其中所述的距离大体上是在10-20μ之间。

18.如权利要求11的磁阻器件进一步包括：

磁头磁盘装置；

至少一种磁性存储介质，可旋转地装在所述的磁头磁盘装置中在其上具有可编码的数据；和

至少一种定位器机械装置，可动地装在所述的磁头磁盘装置中用于将所述的磁阻器件相对于所述的存储介质定位以使选择部分的所述的数据能够读出。

19.一种磁阻器件包括：

具有由至少一部分磁阻层形成其有源区的磁阻结构；和

至少一个与所述的磁阻结构电连接的导体，所述的导体有其相对的中间边缘和旁侧边缘在那里至少一部分所述的中间边缘被移位在所述的有源区旁侧上。

20.如权利要求19的磁阻器件进一步包括：

被配置在所述的磁阻层的旁侧上以向其提供纵向偏磁的第一和第二纵向偏磁元件。

21.如权利要求20的磁阻器件进一步包括：

介于在所述的第一及第二纵向偏磁元件和所述的磁阻层的相对的端面部分之间的第一和第二分隔层。

22.如权利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔离层包括介质材料。

23.如权利要求22的磁阻器件其中所述的介质材料包括氧化铝。

24.如权利要求21的磁阻器件其中所述的第一和第二分隔层包括非磁性金属。

25.如权利要求24的磁阻器件其中所述的非磁性金属包括Cr。

26.如权利要求19的磁阻器件其中所述的磁阻层包括NiF。