[发明专利]用多晶硅原料制备熔硅的方法

权利要求书

1.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入坩埚，块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面，和使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化以形成熔硅。

2.如权利要求1所述的方法，其中坩埚有包含内壁的内表面，内壁的上半部分包括内壁表面积的50％左右，装入的粒状多晶硅不接触内壁的上半部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中坩埚有一个中心线和包括内壁的内表面，在坩埚的中心线处装入的粒状多晶硅的高度大于内壁处的高度。

4.如权利要求1所述的方法，其中粒状多晶硅和块状多晶硅的熔化是在块状多晶硅的主要部分熔化前粒状多晶硅的主要部分先熔化，然后再熔化所有剩余的还没熔化的粒状多晶硅和块状多晶硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过加热粒状多晶硅和块状多晶硅来使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化，同时将粒状多晶硅和块状多晶硅暴露于清洗气体中，块状多晶硅热保护粒状多晶硅使其不受清洗气体的冷却作用的影响。

6.如权利要求1所述的方法，其中装入坩埚的粒状多晶硅的量为装入坩埚的多晶硅总重量的约10％至约80％。

7.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入具有内表面的坩埚，内表面包括一个内壁，内壁的上半部分包括了内壁表面积的50％左右，装入的粒状多晶硅不接触的内壁的上半部分，和使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化以形成熔硅。

8.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入坩埚，使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化以形成熔硅，粒状多晶硅主要部分的熔化先于块状多晶硅主要部分的熔化。

9.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入坩埚，将粒状多晶硅和块状多晶硅暴露于清洗气体中，块状多晶硅热保护粒状多晶硅，使其不受清洗气体的冷却作用的影响，和使粒状多晶硅和块状多晶硅熔化以形成熔硅。

10.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：将粒状多晶硅和块状多晶硅装入具有中心线和内表面的坩埚，内表面包括底面和内壁，内壁的上半部分包括内壁表面积的50％左右，装入的粒状多晶硅不和内壁的上半部分接触，并且在坩埚的中心线处的高度大于在内壁处的高度，块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面，加热多晶硅使得粒状多晶硅的主要部分的熔化先于块状多晶硅的主要部分的熔化，加热时，粒状多晶硅和块状多晶硅暴露于清洗气体中，块状多晶硅热保护粒状多晶硅，使其不受清洗气体的冷却作用的影响，和熔化所有未熔化的粒状多晶硅和块状多晶硅以形成熔硅。

11.一种在坩埚中制备用于由切克拉斯基法生长单晶硅锭的熔硅的方法，该方法包括：把一定量的粒状多晶硅装入坩埚，坩埚具有一条中心线、一个基于装入粒状多晶硅的最大的重量容量、一个包括内壁的内表面，内壁的上半部分包括内壁的表面积的50％左右，装入的粒状多晶硅的量少于坩埚最大重量容量的65％左右，装入的粒状多晶硅和内壁的上半部分不接触，并且在坩埚的中心线处的高度大于在内壁处的高度，熔化粒状多晶硅以形成熔硅。

12.如权利要求11所述的方法进一步还包括将块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面。