[发明专利]触摸开关无效
申请号: | 96118132.X | 申请日: | 1996-04-24 |
公开(公告)号: | CN1163512A | 公开(公告)日: | 1997-10-29 |
发明(设计)人: | 杨跃华 | 申请(专利权)人: | 中山市横门镇工业总公司特思高产品开发中心 |
主分类号: | H03K17/96 | 分类号: | H03K17/96;H01H13/00 |
代理公司: | 珠海市专利事务所 | 代理人: | 梁晓颖 |
地址: | 528449 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸 开关 | ||
1、一种触摸开关,由CS7232触摸芯片、电阻、二极管、稳压管、双向可控硅连接而成,其特征在于CS7232触摸芯片共有八个引脚,分别为VSS脚(1),接电源负极,DOZS脚(2),为负脉冲输入端,CAP脚(3),外接电容,SYS脚(4),为频率同步端,SEN脚(5),为触摸控制输入端,SLAVE脚(6),为长线触摸控制端,VDD脚(7),接电源正极,OUT脚(8),为灯光控制输出端。
2、根据权利要求1所述的触摸开关,其特征在于CS7232芯片由缓冲器(H1,H2,H3,H4)、段循环单元(11)、逻辑控制单元(12)、触摸控制器(13)、段指针(14)、数字比较器(15)、输出控制器(16)连接而成,缓冲器选用四个,缓冲器(H1)的输入端输入电压采样信息,其输出端与段循环单元(11)的输入端连接,此外,从电容滤波器传来的信息也直接送入段循环单元(11)的输入端(11′),缓冲器(H2)的输入端输入亮暗控制信息,缓冲器(H3)的输入端与电源负极连接,缓冲器(H4)的输入端输入触摸信息,缓冲器(H2、H3、H4)的输出端均与逻辑控制单元(12)的输入端连接,段循环单元(11)、逻辑控制单元(12)的输出端均与触摸控制器(13)、段指针(14)的输入端连接,触摸控制器(13)、段指针(14)的输出信息经数字比较器(15)进行处理后,再输入到输出控制器(16),由输出控制器(16)输出控制信息。
3、根据权利要求1所述的触摸开关,其特征在于CS7372触摸芯片的脚(1)、(2)并联与电源正端连接,脚(3)外接电容(C3),脚(4)并接有电容(C2)、电阻(R5)的另一端再与用电器(L1)、零线(N)连接。脚(8)通过电阻(R4)与双向可控硅(SCR)的一个输入端连接,脚(6)与二极管(D1)的正端连接,二极管(D1)的负端与电阻(R6、R3)串接后与负载(L1)、零线(N)连接,脚(5)通过电阻(R1)外接触摸片(SEWSOR),双向可控硅(T1)的输出端与用电器(L1)连接,双向可控硅(T1)的另一输入端与火线(L)连接,脚(7)和脚(8)之间,接有电容(Cs)。
4、根据权利要求1所述的触摸开关,其特征在于双向可控硅(T1)的输出端也可与电阻(R3)的另一端并接后,再与用电器(L1)一端连接,用电器(L1)的另一端与零线(N)连接。
5、一种CS7232芯片,其电路是采用CMOS工艺制作而成的。
6、根据权利要求5所述的CS7232芯片,其特征在于CS7232电路是采用铝棚CMOS工艺制作的,制作过程如下:
(1)对N型硅电衬底表面进行氧化、光刻和P型杂质掺杂,形成较深的P阱,此P阱用作N沟道MOS管的衬底材料。
(2)进行P沟道MOS管源和漏区光刻和高浓度P型杂质扩散,形成P+源和漏区,并同时形成P沟道MOS管P+隔离环。
(3)进行N沟道MOS管源和漏区光刻、高浓度N型杂质扩散,形成N+源和漏区,并同时形成N沟道MOS管N+隔离环。
(4)光刻栅区,并生成一层清洁的栅氧化层。
(5)光刻引线孔,蒸铝,光刻铝电极进行合金,形成两个P沟道MOS晶体管。
(6)通过这些过程,CS7232管芯用硅胶封装成各种各样的封装形式。
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