[发明专利]端子电镀用电镀引线结构

说明书

本发明涉及存储器模块多层印刷电路板的端子电镀用电镀引线的结构。

随着存储器IC的小型化、薄型化，安装存储器IC的存储器模块的小型化、薄型化正在取得进展。作为该存储器模块的小型化来说，目前，引人注目的是DIMM(DualInline Memory Module)(双列直插式存储器模块)。所谓DIMM，与以往SIMM(SingleInline Memory Module)(单列直插式存储器模块)正反面邻接的外部端子通过通孔导通连接不同，其正反面邻接的外部端子具有不同的信号。

但是，上述SIMM或DIMM，如图2(a-1)所示，如果端子2电镀时所需的电镀引线从电路板端面引出，则如图2(a-2)所示，在进行根部清理加工时，电镀引线将变成卷丝4，有可能导致邻接的端子2的短路。图中，1表示通孔，5表示根部清理加工的侧面。

因此，如图2(b)所示，在SIMM的情况下，有一种从端子的通孔7引出中层引线的方法，但在DIMM的情况下，因正反面邻接的端子不同，所以如图2(c)所示，要从各端子钻出电镀用通孔。

如采用这种结构，则因在与SIMM相同面积的范围需集中2倍密度的通孔，所以存在使配线设计的难度增加，或不可能实现迂回连接的问题。

本发明的目的是提供一种能够解决上述问题、并能减小配线面积及噪声的存储器模块多层印刷电路板的端子电镀用电镀引线结构。

为达到上述目的，本发明：

(1)在存储器模块多层印刷电路板上，设有分别配置在正反面的端子、从该端子引出的配线、及连接该配线和中间层的暗穿孔。

因此，即使是象DIMM那样的正反面端子具有不同信号的模块，也能采用BTH(暗穿孔)得到电镀引线，与采用通孔时相比，通孔面积减小一半，可达到减小配线面积的目的。

(2)在存储器模块多层印刷电路板上，设有通过暗穿孔以中层连接在一起进行电镀用的配线、及在该配线电镀后通过进行开孔加工(NC加工)将该配线断开、配置在端子下的中层部分的GND(接地)区。

这样，用中层将邻接的BTH进行连接配线，可整体地得到电镀引线，所以可在端子下的中层设置GND图形的空间。利用该端子下的中层GND图形，能使互相受到信号复杂影响的端子部分的阻抗保持恒定，从而能减小噪声。

(3)在存储器模块多层印刷电路板上，设有以表层连接邻接端子进行电镀用的配线、及在电镀后通过在该配线上进行开孔加工(NC加工)将该配线断开、配置在端子下的中层部分的GND区。

因此，除了与上述(2)同样地能使端子部分的阻抗保持恒定、从而能减小噪声之外，由于不需要BTH，所以能以现有的简易技术实现，另外，由于是用表层进行配线、断线的加工，所以在目视检查时易于进行修改。

图1是表示本发明第1实施例的DIMM的端子电镀用电镀引线结构的斜视图。

图2是表示现有的DIMM的端子电镀用电镀引线存在问题的图。

图3是表示本发明第2实施例的DIMM的端子电镀用电镀引线结构的斜视图。

图4是表示本发明第3实施例的存储器模块多层印刷电路板的端子电镀用电镀引线结构的斜视图。

符号说明：

10  BTH

11  绝缘层

12、13、22  配线

14、23  开孔(NC加工)

15  GND图形

21  端子

以下，参照附图说明本发明的实施形态。

首先，说明本发明的第1实施例。

图1是表示本发明第1实施例的DIMM的端子电镀用电镀引线结构的斜视图。

在本实施例中，为得到DIMM的端子电镀用电镀引线，采用了BTH(暗穿孔)。

BTH是采用仅将通孔钻开必要部分(层间通孔)的方法、作为对高密度配线的一种有效技术而使用的。

如图1所示，上下2个BTH10具有不同的信号，但在各个BTH10之间备有绝缘层11，所以即使是在同一位置，也不会发生信号混线。

这里，从正反面的各端子21引出的配线，是以通过各BTH10连接于中层并从中层引出的配线12作为电镀引线连接的。

如上所述，按照第1实施例，即使是象DIMM那样的正反面端子具有不同信号的模块，由于能采用BTH得到电镀引线，所以与采用通孔时相比，通孔面积减小一半，可达到减小配线面积的目的。

图3是表示本发明第2实施例的存储器模块多层印刷电路板的端子电镀用电镀引线结构的斜视图。