[发明专利]刻蚀方法无效
申请号: | 96119282.8 | 申请日: | 1996-10-17 |
公开(公告)号: | CN1072737C | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
发明(设计)人: | 一濑博文;泽山一平;长谷部明男;村上勉;久松雅哉;新仓谕;上野雪绘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C25F3/02 | 分类号: | C25F3/02;C25F3/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀具有要刻蚀区的基片的方法,包括步骤:
(a)将所说基片浸入电解液使所说基片作负电极,
(b)设置具有和所说电解液中所说基片要刻蚀区域上将要形成的要求刻蚀图形相对应的图形的相对电极,使所说相对电极与所说基片维持预定的间隔,
(c)在所说基片和所说相对电极之间加直流电流或脉冲电流,将所说基片上要刻蚀的区域刻蚀成和所说相对电极的所说图形相对应的图形。
2.根据权利要求1的方法,其特征为:基片和相对电极靠近放置。
3.根据权利要求1的方法,其特征为:基片和相对电极之间的间隔为0.1mm到2mm。
4.根据权利要求1的方法,其特征为:使基片要刻蚀的区域由形成在基片上的薄膜构成。
5.根据权利要求1的方法,其特征为:使基片要刻蚀的区域由通过半导体层形成在基片上的薄膜构成。
6.根据权利要求1的方法,其特征为:基片的要刻蚀的区域由透明导电薄膜构成。
7.根据权利要求4的方法,其特征为:薄膜是透明导电薄膜。
8.根据权利要求5的方法,其特征为:薄膜是透明导电薄膜。
9.根据权利要求1的方法,其特征为:桥接部件置于基片和相对电极之间。
10.根据权利要求9的方法,其特征为:桥接部件由软材料构成。
11.根据权利要求9的方法,其特征为:桥接部件由硅酮橡胶或硅酮海绵构成。
12.根据权利要求1的方法,其特征为:基片的要刻蚀的区域由选自由SnO2、In2O3和ITO组成的组中的至少一种材料构成。
13.根据权利要求4的方法,其特征为:薄膜由利用真空蒸发、离子蒸发、溅射、CVD、等离子CVD或喷涂形成的至少一种材料构成。
14.根据权利要求1的方法,其特征为:电解液由选自由氯化钠、氯化钾、氯化铝、氯化锌、氯化锡、氯化铁、一氮化三钠、硝酸钾、盐酸、硝酸和硫酸组成的组中的至少一种化合物构成作为电解质。
15.根据权利要求1的方法,其特征为:相对电极由选自铂、碳、金、不锈钢、镍、铜和铅组成的组中的至少一种材料构成。
16.根据权利要求1的方法,其特征为:刻蚀基片的要刻蚀的区域,同时使要刻蚀区域的不刻蚀部分与设置在相对电极端的桥接部件接触。
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