[发明专利]薄膜器件工艺形成凹状光致抗蚀剂剥离外形的方法及器件

权利要求书

1.使在衬底上制成图形的光致抗蚀剂容易剥离的工艺结合所述的衬底的照相平版印刷工艺确定表面轮廓，所述的工艺包括的步骤为：

在所述的衬底的主表面上制作所述的光致抗蚀剂图形以确定图形区域；

交联所述的光致抗蚀剂的第一部分；该部分元离所述衬底；

溶解所述的光致抗蚀剂的第二部分，该部分邻近所述衬底；

显影所述的光致抗蚀剂使在围绕所述的图形区域外围的所述的光致抗蚀剂中产生下部凹陷。

2.如权利要求1的工艺，进一步包括的步骤为：

刻蚀所述的光致抗蚀剂和所述的衬底的所述的主表面以确定所述的表面轮廓。

3.如权利要求2的工艺，进一步包括的步骤为：

剥离所述的光致抗蚀剂。

4.如权利要求1的工艺，其中进行所述的制作图形步骤，采用步骤为：

用所述的光致抗蚀剂覆盖所述的衬底以形成光致抗蚀剂层；

将掩模图形投影到对应所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂层上；

将所述的光致抗蚀剂层通过所述的掩模图形曝光于一种能源；和

溶解围绕所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂层部分。

5.如权利要求1的工艺，其中进行所述的横向交联步骤，采用步骤为：

在大体上为25mTorr以下的气氛压力下处理所述的衬底和图形区域；和

将所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂的所述的第一部分曝光于处于电压大体上为10KV时的大体上300μc/cm²的电子源。

6.如权利要求5的工艺，其中进行所述的溶解步骤，采用步骤为：

在气氛压力大体上为0.25mTorr进一步将所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂的所述的第一和第二部分曝光于电压大体上为10KV时的大体上50μc/cm²的电子源。

7.一种薄膜器件，采用的制作工艺包括步骤：

准备衬底；

用光致抗蚀剂覆盖所述的衬度的主表面以形成光致抗蚀剂层；

使掩模图形投影在所述的光致抗蚀剂层上，与图形区域相对应；

使所述的光致抗蚀剂层通过所述的掩模图形曝光于能源下；

溶解围绕所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂层的部分以确定在所述的衬底上的表面轮廓；

横向交联所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂的第一部分，该部分远离衬底；

溶解离所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂的第二部，该部分邻近衬底；

使所述的光致抗蚀剂显影以在围绕所述的图形区域外围的所述的光致抗蚀剂中的形成下部凹陷；和

刻蚀所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂和所述的衬底的所述主表面以确定所述的表面轮廓。

8.如权利要求7的薄膜器件，采用的制作工艺，进一步包括的步骤为：

沉积覆盖在所述的图形区域的所述的光致抗蚀剂和所述的衬底的所述的主表面上的薄膜层；

9.如权利要求8的薄膜器件，采用的制作工艺，进一步包括的步骤为：

剥离所述的光致抗蚀剂和覆盖在所述的图形区域上的所述的薄膜层。

10.如权利要求9薄膜器件，其中所述的衬底的所述的主表面进一步包括上面覆盖的MRS结构和所述的表面轮廓包括MR区域。

11.如权利要求10的薄膜器件，其中所述的薄膜层包括PM层。

12.使用至少一个具有凹状外形的光致抗蚀剂区域形成薄膜器件的工艺，所述的工艺包括的步骤为：

在具有主表面的衬底上对光致抗蚀剂区域制作图形；

区别处理所述的光致抗蚀剂区域，产生其对显影液相对难溶的第一部分和相对所述的显影液相对易溶的第二部分；和

所述的光致抗蚀剂在所述的显影液中显影预定的一段时间，在所述的光致抗蚀剂的所述的第二部分中形成所述的凹状轮廓。

13.如权利要求12的工艺，其中进行所述的工艺步骤，采用步骤为：

横向交联所述的光致抗蚀区域的所述的第一部分，使所述的光致抗蚀的所述的第一部分在显影液中变得相对难溶；

增溶所述的光致抗蚀剂区域的所述的第二部分，使所述的光致抗蚀剂的所述的第二部分对上述的显影液变得相对易溶。