[发明专利]清洗桶式反应器用的方法和装置无效
申请号: | 96119772.2 | 申请日: | 1996-12-10 |
公开(公告)号: | CN1158493A | 公开(公告)日: | 1997-09-03 |
发明(设计)人: | 托马斯·M·汉利 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马江立 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 反应 器用 方法 装置 | ||
1.一种利用反应气体通过化学汽相沉积法将材料沉积在半导体晶片上用的反应器,该反应器包括:
一个限定反应室的壳体,反应室的尺寸能容纳至少一个半导体晶片,该壳体有一个开口进入上述反应室并从该反应室延伸离开的喷口空腔;
一个将反应气体输送到反应室用的反应气体输送系统,该反应气体输送系统包括:
a)一个安置在喷口空腔内的喷嘴,用于将反应气体引入反应室;
b)一个反应气体源,用于在将反应气体通过喷嘴引入反应室之前贮存该反应气体;和
c)一个延伸在反应气体源和喷嘴之间的反应气体管线,用于将反应气体输送到喷嘴;
以及
一个清洗气体输送系统,它包括:
a)一个开口进入上述喷口空腔的清洗气体出口,用于将清洗气体引入该喷口空腔,以便从该空腔清洗去反应气体;
b)一个清洗气体源,用于在引导清洗气体通过清洗气体出口进入喷口空腔之前贮存清洗气体;和
c)用于将清洗气体从清洗气体源输送到清洗气出口以清洗喷口空腔的装置。
2.根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,该清洗气体出口安置在上述喷嘴内,并指向喷口空腔的一个侧面。
3.根据权利要求2所述的反应器,其特征在于,上述喷嘴有一个通道,反应气体可通过该通道进入反应室,其中上述清洗气体输送装置包括一个连接到一个所述喷嘴和反应气体管线的清洗气体管线和一个用于选择性地允许清洗气体进入喷嘴通道的阀门,该清洗出口连通喷嘴通道,用于将清洗气体引入喷口空腔。
4.根据权利要求3所述的反应器,其特征在于,上述清洗气体出口沿基本上垂直于喷嘴通道纵向的侧向将清洗气体引入喷口空腔。
5.根据权利要求4所述的反应器,其特征是还包括多个清洗出口,它们位于围绕喷嘴通道的成角度间隔的位置处。
6..根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,该清洗气体出口位于空腔的一侧。
7..根据权利要求6所述的反应器,其特征在于,该清洗气体出口基本上指向所述喷嘴。
8..根据权利要求7所述的反应器,其特征在于,该清洗气体出口的纵轴线相对于所述喷嘴的纵轴线是倾斜的。
9..根据权利要求8所述的反应器,其特征在于,上述清洗气体输送装置包括一个延伸在清洗气体源和清洗气体出口之间的清洗气体管线。
10..根据权利要求1所述的反应器,其特征在于,上述壳体包括:
一个反应室容器;
一个位于上述反应室容器附近的气体环,气体环中设置所述喷口空腔,该清洗气体出口包括一个通过气体环延伸进入所述喷口空腔的孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造