[发明专利]复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法

权利要求书

1.一种复合式的SOI基片，它包括：

具有一个主表面的第一硅基片，所述主表面有隐埋于所述主表面的绝缘体膜形成的多个图型，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上的校准图型；其特征在于还包含：

一个与所述的第一硅基片相联接的一个第二硅基片，所述的第二硅基片与所述的第一硅基片的所述主表面相联接，其中在所述的第一硅基片的所述边缘部分之上的所述校准图型是显露的。

2.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述第二硅基片的宽度比所述第一硅基片的宽度窄。

3.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片和所述的第二硅基片基本上是圆形的，其中所述第二硅基片的半径比所述第一硅基片的半径要小。

4.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第二硅基片有至少两个位于边缘部分的槽部分以使所述的校准图型显露出来。

5.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片的至少部分边缘部分形成与隐埋在所述主表面内的所述绝缘体膜的厚度一致从而将所述的校准图型显露出来。

6.一种制造复合式SOI基片的方法，它包括：

形成隐埋在第一硅基片的主表面内的绝缘体膜的多个图型的制作步骤，所述的多个图型包括形成于所述的第一硅基片的边缘部分的校准图型；

其特征在于还包含：

在一个第二硅基片的边缘部分之上形成至少两个槽部分的步骤；及

将所述的第二硅基片与所述的第一硅基片所述主表面相联接的步骤，同时将所述的槽部分调节在所述校准图型之上以使所述校准图型显露出来。

7.根据权利要求6所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的联接步骤包括在氧化气氛中于1100℃到1200℃下处理所述第一和第二硅基片。

8.一种制造复合式SOI基片的方法，包括：

形成隐埋在第一硅基片的主表面内的绝缘体膜的多个图型的步骤，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上形成的校准图型；

其特征在于还包含：

一个将第二硅基片与所述第一硅基片的所述主表面相联接的步骤，所述的第二硅基片的横向宽度比所述的第一硅基片的要窄以使所述校准图型显露出来。

9.根据权利要求8所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的联接步骤包括在氧化气氛中于1100℃到1200℃下处理所述第一及第二硅基片。

10.根据权利要求8所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的第一硅基片及所述第二硅基片基本上是圆形的且所述第二硅基片的半径比所述第一硅基片的半径小。

11.一种制造复合式SOI基片的方法，包括：

在第一硅基片的主表面上形成绝缘体膜的多个图型的步骤，所述的多个图型包括在所述第一硅基片的边缘部分之上形成的校准图型；

其特征在于还包含：

一个将第二硅基片与所述第一硅基片的主表面相联接的步骤；及

一个除去所述的第二硅基片的边缘部分以使形成于所述第一硅基片之上的所述校准图型显露出来的步骤。

12.根据权利要求11所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的联接步骤包括在氧化气氛中于1100℃到1200℃下处理所述第一及第二硅基片。

13.一种制造复合式SOI基片的方法，包括：

形成隐埋在所述的第一硅基片的主表面内的绝缘体膜的多个图型的步骤，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上形成的校准图型的步骤；

其特征在于还包含：

一个将第二硅基片与所述第一硅基片的所述主表面相联接的步骤；及

一个从相对于所述第一硅基片的所述主表面的表面除去所述边缘部分，以使所述的包含埋于所述主表面的边缘部分中的所述绝缘体膜校准图型露出来。

14.根据权利要求13所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的联接步骤包括在氧化气氛中1100℃到1200℃下处理第一及第二硅基片。