[发明专利]使金属层构成图案的方法无效
申请号: | 96120116.9 | 申请日: | 1996-09-28 |
公开(公告)号: | CN1151574A | 公开(公告)日: | 1997-06-11 |
发明(设计)人: | 卢载遇 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;H01F41/14;C23F1/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 构成 图案 方法 | ||
1、使一个形成在基底上的金属层构成图案的方法,该方法包括以下步骤:
(a)在金属层上形成一个形成有图案的掩模层,该掩模层的形状使得在其上容易形成薄膜;及
(b)使该金属层构成一个与形成有图案的掩模层相同构型的图案。
2、如权利要求1的方法,其中,步骤(a)包括下列步骤:
(a1)在金属层上沉积掩模层;
(a2)使用离子注入法在掩模层上形成离子注入层;
(a3)在离子注入层上形成光刻胶层;
(a4)通过蚀刻掩模的一部分,形成第一倾斜壁;和
(a5)通过蚀刻掩模层的另一部分,形成第二倾斜壁,由此获得形成有图案的掩模层。
3、如权利要求1的方法,其中,金属层是由磁性材料制成的。
4、如权利要求3的方法,其中,磁性材料由坡莫合金制成。
5、如权利要求4的方法,其中,磁层具有8-10μm的厚度。
6、如权利要求2的方法,其中,掩模层由二氧化硅(SiO2)制成。
7、如权利要求2的方法,其中,掩模层是用蚀刻剂来蚀刻的,该蚀刻剂由氟化铵(NH4F)和氟化氢(HF)制成。
8、如权利要求2的方法,其中,掩模层具有9-20μm的厚度。
9、如权利要求1的方法,其中,金属层采用离子磨削方法来构成图案的。
10、形成下磁极的方法,该方法包括下列步骤:
(a)在基底上形成磁层;
(b)在磁层上面沉积掩模层;
(c)使用离子注入法在掩模中形成离子注入层;
(d)使用蚀刻剂,蚀刻掩模层的一部分,以形成第一倾斜壁;
(e)使用蚀刻剂,蚀刻掩模层的另一部分,以形成第二倾斜壁,由此获得形成有图案的掩模层;及
(f)使用离子磨削法,使磁层形成与形成有图案的掩模层相同的构型的图案,以此获得下磁极。
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