[发明专利]使金属层构成图案的方法无效

专利信息
申请号: 96120116.9 申请日: 1996-09-28
公开(公告)号: CN1151574A 公开(公告)日: 1997-06-11
发明(设计)人: 卢载遇 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31;H01F41/14;C23F1/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 甘玲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 金属 构成 图案 方法
【权利要求书】:

1、使一个形成在基底上的金属层构成图案的方法,该方法包括以下步骤:

(a)在金属层上形成一个形成有图案的掩模层,该掩模层的形状使得在其上容易形成薄膜;及

(b)使该金属层构成一个与形成有图案的掩模层相同构型的图案。

2、如权利要求1的方法,其中,步骤(a)包括下列步骤:

(a1)在金属层上沉积掩模层;

(a2)使用离子注入法在掩模层上形成离子注入层;

(a3)在离子注入层上形成光刻胶层;

(a4)通过蚀刻掩模的一部分,形成第一倾斜壁;和

(a5)通过蚀刻掩模层的另一部分,形成第二倾斜壁,由此获得形成有图案的掩模层。

3、如权利要求1的方法,其中,金属层是由磁性材料制成的。

4、如权利要求3的方法,其中,磁性材料由坡莫合金制成。

5、如权利要求4的方法,其中,磁层具有8-10μm的厚度。

6、如权利要求2的方法,其中,掩模层由二氧化硅(SiO2)制成。

7、如权利要求2的方法,其中,掩模层是用蚀刻剂来蚀刻的,该蚀刻剂由氟化铵(NH4F)和氟化氢(HF)制成。

8、如权利要求2的方法,其中,掩模层具有9-20μm的厚度。

9、如权利要求1的方法,其中,金属层采用离子磨削方法来构成图案的。

10、形成下磁极的方法,该方法包括下列步骤:

(a)在基底上形成磁层;

(b)在磁层上面沉积掩模层;

(c)使用离子注入法在掩模中形成离子注入层;

(d)使用蚀刻剂,蚀刻掩模层的一部分,以形成第一倾斜壁;

(e)使用蚀刻剂,蚀刻掩模层的另一部分,以形成第二倾斜壁,由此获得形成有图案的掩模层;及

(f)使用离子磨削法,使磁层形成与形成有图案的掩模层相同的构型的图案,以此获得下磁极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大宇电子株式会社,未经大宇电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96120116.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top