[发明专利]薄膜晶体管的液晶显示装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 96120543.1 申请日: 1996-12-09
公开(公告)号: CN1154490A 公开(公告)日: 1997-07-16
发明(设计)人: 权五敬;郑宽烈 申请(专利权)人: LG半导体株式会社
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G09G3/36
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦
地址: 韩国忠*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管LCD装置,选用作为转换装置的薄膜晶体管,它具有其上施加有驱动电压的栅极和源/漏极,当驱动电压施加在栅极上时通过形成一沟道被导通,并且还包括一数据线,该数据线以一预定间隔与源极分隔开且在此被绝缘,并被形成以与漏极相连接,其特征在于该改进装置还包括:

一存储器电极,它能完全覆盖数据线和栅线,并且位于像素电极的下面部分用来切断数据线和像素电极之间以及栅线和像素电极之间的光线。

2.一种薄膜晶体管LCD装置,选用作为转换装置的薄膜晶体管,它具有其上施加有驱动电压的栅极和源/漏极,当驱动电压施加在栅极上时通过形成一沟道被导通,并且还包括一数据线,该数据线以一预定间隔与源极分隔开且在此被绝缘,并被形成以与漏极相连接,这种薄膜晶体管LCD装置的制造方法,其特征在于包括:

在具有所述源/漏极以及在此形成的所述数据线的结构的整个表面上淀积一绝缘材料以形成一第一绝缘膜;

在对应于所述栅极的部分上面以及在所述数据线和所述薄膜晶体管的上部分上面形成一存储器电极;

在所得的整个表面上通过淀积绝缘材料形成一第二绝缘膜;和

通过有选择性蚀刻所述第一或是第二绝缘膜来形成一接触部分以便使所述源极的一预定部分被暴露,然后在所述所得的整个表面上淀积一ITO并且对所述ITO进行构图来形成一像素电极,该像素电极能覆盖所述源区和所述数据线的一预定区域。

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