[发明专利]全波式振幅调制方法及电路

权利要求书

1、一种全波式振幅调制方法，包括以下步骤：

(1)将电压调制信号Vm(t)转换成电流信号；

(2)利用所述电流信号产生两相对称的电压信号V_A(t)与V_B(t)，该两电压信号对于一固定值的参考电压成上下对称；

(3)根据所述电压信号V_A(t)与V_B(t)与一载波信号V_C(t)，而得到一全波式振幅调制信号的输出信号，其作法为当载波信号为正值时，取电压信号V_A(t)作为输出信号，而当载波信号为负值时，取电压信号V_B(t)作为输出信号。

2、一种全波式振幅调制电路，包括：一电压电流转换电路，一电流电压转换电路及一开关电路；

所述电压电流转换电路由运算放大器、电阻R1与NMOS晶体管M1组成，其连接方式为调制信号Vm(t)馈入运算放大器的正输入端，NMOS晶体管M1的闸极连接至运算放大器的输出端，用以提供运算放大器输出端所需的极高电阻，晶体管M1的源极与运算放大器的负输入端连接，然后再共同接至电阻R1，用以将输入的调制电压信号Vm(t)转换成流过晶体管M1的电流信号Im(t)＝Vm(t)/R1；

所述电流电压转换电路由两电流镜与两电阻构成，第一电流镜包括PMOS电晶体M2、M3与M5，其源极均外接于电压源V_DD，晶体管M2成二极管连接，其漏极接于晶体管M1的漏极；第二电流镜包括NMOS晶体管M4与M6，其源极均接地，晶体管M4成二极管连接，其漏极接于晶体管M3的漏极，晶体管M4与M6两者的W/L值之比与晶体管M3与M5两者的W/L值之比相等；晶体管M5的漏极连接至一电阻R2，电组R2再串联一电阻R3，然后连接于晶体管M6的漏极，电阻R2与R3的电阻值相同；晶体管M5与电阻R2连接点的电位为V_A(t)，晶体管M6与电阻R3连接点的电位为V_B(t)，则两电位信号V_A(t)与V_B(t)对于0.5V_DD成上下对称；

所述开关电路由两个CMOS开关构成，其中第一CMOS开关的输入端馈入所述信号V_A(t)，其NMOS的闸极处馈入所述载波信号V_C(t)，而其PMOS的闸极馈入所述载波信号的反相电压V_C(t)，而第二CMOS开关的输入端馈入信号V_B(t)，其NMOS的闸极馈入所述载波信号的反相电压V_C(t)，而其PMOS的闸极处馈入该载波信号V_C(t)，两CMOS开关的输出端接在一起作为输出信号V_O(t)的输出端，以使当载波信号V_C(t)为正时，第一CMOS开关导通，而第二CMOS开关切断，此时V_O(t)＝V_A(t)；当载波信号V_C(t)为负时，第一CMOS开关切断，第二CMOS开关导通，此时V_O(t)＝V_B(t)。

3、根据权利要求2所述的全波式振幅调制电路，其特征在于，所述晶体管M2、M3与M5的W/L值相同，晶体管M4与M6的W/L值相同。